关于mim电容的版图设计
时间:12-12
整理:3721RD
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想请教各位,以cmos 0.18um ME1-6为例
(1) mim的bottom plate是通过ME5走还是通过ME6走合适,问了不同的人,说法都不一样,有的人说为防止击穿从me6走,有的说为了matching从me5走...
(2) 关于mim阵列的guard ring, 有的人说是直接包一圈psub打到Vss,也有人说是用nwell包起来通过nsub打到Vss
(3) 如果要给一个放大器版图包一个guard ring, 采用psub到Vss的方法,这个Vss和放大器的AVss是一个电压,还是要分开
希望有经验的前辈给讲一讲,不胜感激
(1) mim的bottom plate是通过ME5走还是通过ME6走合适,问了不同的人,说法都不一样,有的人说为防止击穿从me6走,有的说为了matching从me5走...
(2) 关于mim阵列的guard ring, 有的人说是直接包一圈psub打到Vss,也有人说是用nwell包起来通过nsub打到Vss
(3) 如果要给一个放大器版图包一个guard ring, 采用psub到Vss的方法,这个Vss和放大器的AVss是一个电压,还是要分开
希望有经验的前辈给讲一讲,不胜感激
这本书可以回答你的后两个问题
Noise Coupling in Integrated Circuits
A Practical Approach to Analysis, Modeling, and Suppression
By: Cosmin Iorga, Ph.D.
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