请教，用CMOS工艺做运放有什么特别需要注意的吗？

比如，ADI的AD829这款应该是Bipolar的，如果想在.35的CMOS工艺下做这样一款运放，可行吗？有什么需要注意的地方吗？
High speed
120 MHz bandwidth, gain = –1
230 V/μs slew rate
90 ns settling time to 0.1%
Ideal for video applications
0.02% differential gain 0.04° differential phase
Low noise
1.7 nV/√Hz input voltage noise
1.5 pA/√Hz input current noise Excellent dc precision
1 mV maximum input offset voltage (over temperature)
0.3 μV/°C input offset drift Flexible operation

High speed
120 MHz bandwidth, gain = –1
这个GBW应该不难
230 V/μs slew rate
这个也问题不大，输出级push pull是必须的
90 ns settling time to 0.1%
速度快，环路稳定性好，可能看架构
Ideal for video applications
0.02% differential gain 0.04° differential phase
这个不清楚
Low noise
1.7 nV/√Hz input voltage noise
看工艺和low noise考虑
1.5 pA/√Hz input current noise Excellent dc precision
1 mV maximum input offset voltage (over temperature)
这个要是没trim过对于bicmos工艺来说还是有些难度
0.3 μV/°C input offset drift Flexible operation

这个offset drift指标如果只是一级chopper做不到，我之前用0.35um的用了两层chopper（外面一层在digital domain）才做到

这么高端...没做过这个指标的opamp...
话说我瞅了一眼那个bipolar的原理图，好像很简单的样子，这个指标是bipolar的
优势吗？

关键在trimming 精度。
这么高精度，只能package后trim。
购OTP IP，或者自己搞类似的trim cell。

楼上说的chopper之类的结构也可以做，不过就很难做到pin 2 pin了

看你怎么做，如果是单片op，和ADI pin to pin，CMOS要这个指标难，而且达到了成本可能还比bipolar的贵。
如果是自己系统中的一截，cmos可以搞，多级chop，加trimming

就冲噪声这一条，cmos不chop肯定没戏。不过这么大带宽的不知道能用chop不。