请问0.8um的cmos工艺能做的到gbw>=200M 的运放吗？

你这个太笼统了
CLOAD? RLOAD?
没这俩，200M不是很好做吗

你要是不怕增益下降，做单级肯定没啥问题
当然应用就很不好看了
做两级的话，应该还行吧
0.8的没接触过
0.5的倒是有做过100M左右的
当然，如果为了提高GBW而把gm1做大
那为了稳定性考虑，gm2也必须做大才行
而且，为了减小寄生电容
提高gm的主要手段应该是增大电流

dc gain 至少也得>1000,,我现在感觉就是寄生电容太大了,感觉做不到啊,不知道有什么特别的结构运放可做的到啊.

gbw200M，不提具体指标的运放都可以做...只有限定了条件讨论才有意义...
200M还没有到管子的频率极限

folded-cascode + cs输出级 + miller补偿
主极点在第一级，次级点在输出级（gm2/(cl+cp)）
次次极点在第一级的电流镜镜像极点(gmc/ce),但同时有一个2倍该频率的零点可以部分抵消
次次次极点在折叠点
自己计算一下吧
总觉得还是可以实现的

当然
如果没有输入范围限制
用telescopic比用folded-cascode更好

这个应用里面未必
n管的gm略大点，所以可能folded是较好的结构。

我听说过一句话，叫做
只要面积大，nothing is impossible.

输出动态范围？要rail to rail 么？
简单计算一下：
gm/Cload=200MHz*2Pi
Assume Cload=1p => gm=1.256ms
如果算上你的self-loading 大概要 1p
gm=3ms,如果gm/id=20算，就意味着150uA，这个你能承受得起么？
DC gain要多少？
噪声呢？这都没有没法弄

几个关键指标都没给
单端输出or全差分、工作电流上限、DC增益、电源电压、共模输入范围、输出范围等
单纯只是为了满足指标的话，选择N差分输入的telescope结构，
L都取0.8u，Vov取大点，非常轻松可以满足200MHz这样一个要求