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为啥0.5um之类的工艺提供的金属层数比较少

时间:12-12 整理:3721RD 点击:
只有2~3层

3层足够,不太容易因为metal太少导致利用率下降

要是一些大功率的,几个A的电流,也需要多层metal,
foundry能多提供几层么?

大电流,一般用厚metal,加flip chip封装。很少加mask的

大电流能力其实和金属层数多少关系不大,关键在于金属厚度,很多
作大电流器件的工艺三四层也够了,TSMC某工艺的顶层金属厚度40KA,
1u能走9mA(110C),底层的大多4K,也就1mA的能力,多几层也不太解
决问题。
当然,用铜的就好多了

请问能让foundry为了某个产品,把metal做厚一点么?

不太了解,不过金属层厚度调整可能涉及其他工艺步骤,估计也不是
说调就能调的。不过,如果是大客户,应该好办些。
一般大fab有很多工艺,某一个工艺也有多种选项,比如我刚才提到的
TSMC某工艺,顶层金属厚度就是可选的

啊喔,一时不了解CMP和电流密度的关系
不过我们用过.5的工艺,如果用BPOA作顶层金属的话,电流能力也有6~8mA/um

稍微解释一下,BPOA是Band Pad over Active的缩写,说白了就是pad底下
可以放电路,一般这样的顶层金属也比较厚,方块比较小,电流比较大,
如果对IR-drop和current density要求比较高的话,厚金属是不二选择啊
再回到前面说的,还是铜好啊铜好

厚铜有应力问题,DRC不太容易做,导致layout时间会增多
封装上也有可靠性问题...
电流能力和温度关系很大,以及DC电流密度
几A的电流应该不是太大问题

0.5um工艺定型的时候,cmp还不成熟
台阶那么高的情况下做到3层已经非常极限了。 0.5um的金属厚度,尤其是m2厚度,是很多工艺里面都算最薄的

贵啊,其实最大的感受还是铜布线比较贵
电流能力和温度的关系--其实最早的帖子里就强调110C,室温下要乘以系数,其实很大的
DC和脉冲--一般脉冲电流的密度是DC的10~20倍,具体看工艺以及占空比。不过我们就有
DC几个安培的产品,
电流能力还是很讨厌的,今天面试了位同学,问我们这儿是否有“偷电流行为”,我还不
理解,原来就是实际layout电流能力和datasheet上不符。我们也曾有过因为电流密度而增大DIE size的例子,所以有了BPOA这样的厚层金属后,开心了很多。
还有最近在做一个2G的switch,受限之一就是电流密度,金属宽度不能太小,寄生电容较
大,后仿只有1点几个G,很苦恼啊很苦恼,于是开始幻想铜布线。

我们有些产品需要工作在105C左右,到了片上就要150C了
这个时候电流能力就下降的非常厉害。有些电流需要特殊考虑
一般来说电流能力都有些余量的...估计这能给layout的时候稍稍放松
很好奇你们又做高速又做power~

各种switch,有走视频信号的,有走功率的,要求也就不同了

BPOA这个东西是某家Foundry特有的还是普遍支持的?

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