请问umc 0.18um CMOS工艺参数问题

  请问谁对UMC 0.18um Mixed-Mode and RFCOMS工艺熟悉，这个工艺里面提供深n阱。
  我想知道深n阱的深度和掺杂浓度是多少？
  另外，FDK里没有关于底层工艺参数的描述，有没有办法通过models中电学参数来推算具体的工艺参数呢？

大概几个微米，比P井和N井都深，浓度大概是1e17/cm^3
没有办法从模型推出具体的工艺参数来，只能简单的推导，即使这个简单的推导也要对模型和工艺（FAB经验）比较了解的人才能做。
如果你是在公司工作，并且在联电投片的量足够大，可以直接跟他要具体的注入能量，剂量，退火之类的参数。如果你是学生或者是小客户，对方一般不会给你。