关于高压mos工艺问题~~~求科普
ps： 工艺盲~~~~ 还想问下哪有比较基础的关于高压mos工艺器件 原理的解释
请达人给扫下盲吧~~~~看design rule 死记太痛苦了
design rule是指画layout的rule吗？不难记啊，画一遍就记得死死的，想忘掉都难
一般都是低掺杂 耐高压的
可以摆下VMOS LDMOS 之类科普下
普通MOS是n+的drain，高压MOS为了承受高压，除了n+部分，还有弱n的部分，共同构成drain区，弱n的部分就是n-offset。
还有更变态的做法，drain由几张mask和无数的IMP构成，这种情况下会标出每层的定义的。
首先高压MOSFET里面各种不同结构的工艺相差很大，明确高压到底多高很重要
100V以上大家以前都用Vertical MOSFET (VDMOS)，后来RF比较火，要求速度快的
器件，30V以下一般都用LDMOSFET，出于Rds(on)的优化，medium voltage上
Trench MOSFET很流行，（我不知道trench mosfet这个咋翻译，大家说说看）
更高的电压，比如600V，1000V，只考虑Silicon的话,IGBT的市场比较大
其次很多公司的工艺一般都是定制的，想做性能好的power mosfet用标准工艺一般比
较难，所以每个公司的工艺过程会差很多
这个n-offset layer可能只在你用到的power mosfet process里有，并不是标准
的，工艺理解不了，可以从device structure理解试试，一般画出器件的cross-
section就好看多了
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嗯嗯，Lightly doped drain region
我用到过的工艺里Mask就直接叫LDD，这个N-offset还真不常见
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LDD 轻掺杂源漏 在非高压领域也有用吧
目的是减小沟道的电场强度，减小造成的二级效应，如热电子效应。
是呀，所以我觉得多数都直接叫LDD了，把这个叫N-offset的确是挺少
另一种可能就是LDD有多重implantation，出于降低LDD区域Rdson的目的，现在很多工
艺里LDD不止一次注入，可能其中某一个叫N-offset
不过大家现在为了降低成本，也都会选择把其中的一个LDD implantation做blank
implantation，另一个用Mask做，这样用到mask的implantation也只有一次，
呵呵，楼主给的信息太少，不好猜
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一般40V左右的LDMOS多些，容易集成一点，工艺相对简单
100把左右的一般情况下电流密度大，Ron要求高些，LD扛不住，用VD的居多，不过漏极
引出蛮麻烦的，好像也没有那个foundry做这个吃力不讨好的事情
67百的一般又回到LD了，用用RESURF什么的