有人用MOS电容做过运放补偿电容么

这么搞，电容曲线线还是不够平的，而且只能用pmos这么搞，还要注意，pmos阱对衬底的寄生电容的影响。
一般而言，都是case by case的，如果运放是静态的不动的，那还好些，尽可能用积累区的pmos，就怕运放工作点老要动。

强反型在低频是和积累区差不多可以用足COX，但高频的话如果D和S不能提供足够的载流子，那容值还是会下来很多的，而且这很难量化评估，感觉和沟道长度也有关系。
mos电容还有一个问题就是沟道电阻，不论是积累还是强反型，很难评估这个电阻的影响，拉扎维书上有小题一下。

gate端寄生电容小，source drain端寄生电容大。