请问做集成电路投影式光刻和近场/接触式光刻各有什么优

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   samsunm (samsunm) 于  (Sat Dec 20 12:01:09 2008)  提到:
我觉得近场/接触式光刻不需要复杂的成像系统,应该便宜得多,那为什么还要用投影式光刻呢? 投影式光刻需要很复杂的透镜系统啊. 哪位高手给解释一下?先谢了!
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   jvc (小和尚----四大皆空  闭门修炼中......) 于  (Sat Dec 20 13:25:35 2008)  提到:
Contact mask needs optical oil to fill-up the space between mask and wafer, which typically leads to higher defect density and reduced life span. Projection mask, on the contrary, is easy to clean and lasts longer.
【 在 samsunm (samsunm) 的大作中提到: 】
: 我觉得近场/接触式光刻不需要复杂的成像系统,应该便宜得多,那为什么还要用投影式光刻呢? 投影式光刻需要很复杂的透镜系统啊. 哪位高手给解释一下?先谢了!
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   seeflying (林枫) 于  (Sun Dec 21 10:24:35 2008)  提到:
近场方式：光罩和芯片图形是1：1放大，你的MOS管如果是0.1um，要求光罩也要0.1um，而且误差和不同光罩间的套刻误差也要小，这个不现实。
投影方式：光罩可以做的比图形大。比如光罩和图形是4：1的放大，你的MOS管如果是0.1um，光罩对应的图像可以做到0.4um，这样加工起来容易的多。
【 在 samsunm (samsunm) 的大作中提到: 】
: 我觉得近场/接触式光刻不需要复杂的成像系统,应该便宜得多,那为什么还要用投影式光刻呢? 投影式光刻需要很复杂的透镜系统啊. 哪位高手给解释一下?先谢了!
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   refish (北溟有鱼) 于  (Sun Dec 21 12:55:28 2008)  提到:
现在貌似主要都是投影了,cannon和nikon的
【 在 seeflying (林枫) 的大作中提到: 】
: 近场方式：光罩和芯片图形是1：1放大，你的MOS管如果是0.1um，要求光罩也要0.1um，而且误差和不同光罩间的套刻误差也要小，这个不现实。
: 投影方式：光罩可以做的比图形大。比如光罩和图形是4：1的放大，你的MOS管如果是0.1um，光罩对应的图像可以做到0.4um，这样加工起来容易的多。