请问nmos反向后沟道为何有道明显的痕迹

如图是一个nmos的poly层与diff层照片，按我的理解，由于多晶硅的遮挡，
扩散有源区时多晶硅下面是被挡住的，也就是说，沟道应该看上去和P衬底一样。
但图中明显出现了一个沟道的痕迹。难道是阈值调节注入时形成的？
谁能解释一下，谢谢。

不是，这个比poly窄很多。查了一下，估计是场区阈值阻断注入与沟道区阈值调整注入
造成的浓度差。

这都看得出来的话，那反向解剖芯片的时候都不需要染色了。。。