请问MOS管沟道长度选取问题

    需要流过较大电流的晶体管，比如LDO输出管电流要能达到100mA，好像它的沟道长度都不是最小沟道长度。这么取有什么说法，不是徒劳增加寄生电容和面积么。
    我觉得取较大的沟道长度值除了增加r0、减小沟道调制效应外没有别的更明显的优势了吧。

那一般流过的电流值和沟道长度有一个粗略的比例关系么？就像1um宽度金属流过1mA电流来粗略估计。

LDO一个重要的参数是PSR和反向PSR，长沟道有助于改善PSR，当然代价就是面积和驱动运放的功耗。
你可以考虑一下这个原因。

沟道的击穿电场强度和具体参杂工艺参数相关。相同电压沟道越长，内部场强就越小（V=E*d），也就不易被击穿，此外长沟器件长期工作的Vt变化也相对比较小。

那是不是可以理解为在高的漏源电压下才有必要考虑长沟道，而在较低的漏源电压下即使mos本身流过较大的电流也不需要考虑长沟道？

相同电压，较大的电流发生热载流子注入概率大些，会引起Vt变化，长沟器件对这种效应敏感度要小。

那有没有一个比较粗略的判断，比如大概多大电流或者多大电压下需要考虑长沟道。一般取多大比较合适？
谢谢！

应用不同，这方面的可靠性要求也不同，还要权衡系统性能和工作带宽要求。对高速系统增加10~20%的L。电源管理的不清楚？

啊，长沟怎样改善PSR啊？我一直都不知道，设计时直接用最小L值的。
麻烦给个说明好吧，3Q