双阱CMOS工艺与n阱CMOS工艺

Q1：双阱CMOS工艺相对单阱工艺有哪些优点？从制造掩膜来讲，双阱CMOS工艺并不需要增加额外的掩膜，因此它的成本是不是和单阱差不多？
Q2：在电路设计上，n阱工艺的nmos管共用衬底，所以它的衬底端一般统一接地。但是对于双阱工艺则没有这一限制，是否可以带来衬底端接电位时候的灵活性？

双阱工艺的P阱是假的
在p衬底上做p阱
NMOS的衬底还是相当于连在衬底上
只是对latch-up有好处
如果想NMOS衬底能单独接
必须用deep-Nwell