真双口RAM仿真同时读写时，Memory Collision Error读不出内容

Modelsim仿真信息如下所示，请各位帮忙指导一下，是否存在其他仿真模型，能仿真双口RAM的操作，使读写数据正常?谢谢！
Memory Collision Error on X_RAMB8BWER :
test_tb.uut.\data_in_ram/U0/xst_blk_mem_generator/gnativebmg.native_blk_mem_gen/valid.cstr/ramloop[0].ram.r/s6_noinit.ram/TRUE_DP.PRIM9.ram .chk_for_col_msg at simulation time 11648695.000 ns.
# A read was performed on address 0000 (hex) of port B while a write was requested to the same address on port A.  The write will be successful however the read value on port B is unknown until the next CLKB cycle.

问题很简单,不能对一个地址同时读写.
解决办法:
首先确定设计不会对一个地址同时读写;如果有可能需要改设计避开同时读写一个相同地址;
其次,由于xilinx的双口ram没有使能信号,有时出现读写同一地址并不是设计者想要的,此时可以自己在外部做使能处理避免读写同一地址同时

在需要同时对一个地址进行操作时，你可以自己规定是先读还是先存，用阻塞赋值就好。

由于仿真的是别人提供的IP核，无源码，仅仅只有ngc文件，请问有没有类似的双口RAM仿真模型

   由于仿真的是别人提供的IP核，无源码，仅仅只有ngc文件，请问有没有解决方案，目前想仿真出ngc的设计逻辑