SOC工作频率

大家好，想请教个问题：在数字IC里面，标准单元库里有一个电压参数和一个温度参数，如0.18um CMOS下，TT是1.8V，25C，SS是1.62V，125C，FF是1.98V，-40C，我想问的是这里面的温度指的是芯片工作时的外界温度吗?还是指半导体内部的温度?
这个问题有朋友回复了我是指“Ambient air temp”
我们现在在做的一个芯片在最坏情况下（SS）综合出来的最高频率是125MHz，在TT情况下能到200MHz，但公司要求我们要做到稳定工作在150MHz（代码已经不能再做修改优化了），要求的工作环境温度是0-70C的，请问这有可能吗?
谢谢大家！
祝各位新春快乐！来年大涨工资！

1# gaom9
大家好，想请教个问题：在数字IC里面，标准单元库里有一个电压参
数和一个温度参数，如0.18um CMOS下，TT是1.8V，25C，SS是 1.62V，125C，FF是1.98V，-40C，我想问的是这里面的温度指的是芯片工作时的外界温度吗?还是指半导体内部的温度?
=> 内部的温度
我们现在在做的一个芯片在最坏情况下（SS）综合出来的最高频率是125MHz，在TT情况下能到200MHz，但公司要求我们要做到稳定工作在 150MHz（代码已经不能再做修改优化了），要求的工作环境温度是0-70C的，请问这有可能吗?
=> 可能, 重新synthesis, 把你目前设定的速度提高为165 Mhz(under SS condition )

=> 可能, 重新synthesis, 把你目前设定的速度提高为165 Mhz(under SS condition )
这是个办法，但是不晓得能不能合到165MHz

2# abnerliu
abnerliu、amormio124,
你好，谢谢你们的回复
但是我把速度（时钟频率）提高到165MHz，那在SS下综合后会有很多的时序违规，你的意思是能忽略这些时序违规吗?
请问这个165MHz您是怎样换算出来的?怎么从SS、TT这些参数中去估算70C左右的工作频率呢?
能否详细的讲下具体的过程，谢谢！

我们通常是over-constraint10%，所以大概是165MHz。
SS下的时序违规当然不能忽略！
如果合不到165MHz，那么就只能改设计，不过你又说“代码已经不能再做修改优化了”，
这时候就只能使用贱招罗（别给你老板说是我说的），以前我们用过
你合150MHz，然后加压10%跑，一切后果我概不负责哈。
实在不行搞个散热片撒，不过bond cost有点高，估计不会接受。
不过话说回来，其实SS在实际中还是比较少的，
你的TT能到200MHZ，一般工作在150MHz是没有问题的。

5# amormio124
这招数我有点怕怕呢...
基于TT的情况，当时和老板汇报时也是说有可能跑到150的
在SS下125MHz已经是极限了，工具已经不能再优化下去了，那只能继续在最坏情况下来做约束，不行的话，流片出来加电压来跑，呵呵
还有，这个频率是否可以在Nanosim仿真里面来确认?在SS下约束来综合，到最后晶体管级仿真时再把温度改到要求的70度，看看在SS的模型下能否出来功能?

好！顶一个！

如果synthesis 達不到, 只能修design 了
不然就是等做到P&R 再來看是否meet timing
不過一般是直接看Report , see what is the critial path
and modify it！

thanks