为什么PMOS比NMOS阈值电压高
时间：10-02
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下面是用HSPICE仿真的MOS管参数
mp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w=20 ad=100 pd=20 as=100 ps=20
mn drainn gaten Gnd Gnd nch l=2 w=8 ad=40 pd=8 as=40 ps=8
scale=0.1u
仿真结果显示PMOS具有较高的阈值电压，请问为什么?
谁能解释一下