微电子或催生元器件热

今年以来，"电子热"此起彼伏，各类技术创新更成为个股股价爆发的催化剂。

近日，复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管(SFGT)，该研究成果被刊发在美国《科学》杂志上。分析人士表示，这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得了重大突破。预计此次微电子的罕见成就将催生新一波的"元器件热"，相关个股华微电子、复旦复华、长电科技及风华高科有望获得资金青睐。

微电子罕见成就意义重大

据报道，复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管(SFGT)。8月9日，美国《科学》杂志刊发了该研究成果，这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。

据介绍，金属—氧化物—半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中最基本的器件，而常用的U盘等闪存器件多采用另一种被称为浮栅晶体管的器件。此次研究人员把一个隧穿场效应晶体管(TFET)和浮栅器件结合起来，构成了一种全新的"半浮栅"结构器件，称为半浮栅晶体管。它具有高密度和低功耗的明显优势，可取代一部分静态随机存储器(SRAM)，并应用于动态随机存储器(DRAM)领域以及主动式图像传感器芯片(APS)领域。

据复旦大学微电子学院张卫介绍道，作为一种基础电子器件，半浮栅晶体管在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模超过300亿美元。它的成功研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多的话语权。

而不同于实验室研究的基于碳纳米管、石墨烯等新材料的晶体管，半浮栅晶体管是一种基于标准硅CMOS工艺的微电子器件。张卫表示，半浮栅晶体管兼容现有主流集成电路制造工艺，具有很好的产业化基础；不过，拥有核心专利并不等于拥有未来的广阔市场。尽管半浮栅晶体管应用市场广阔，但前提是对核心专利进行优化布局。

国际巨头加大支出  半导体消费规模创新高

据海外媒体报道，尽管全球芯片销量去年出现了下滑，但今年全球半导体市场有望因国际大电子品牌商的加大支出而实现复苏；其中，苹果和三星将会角逐成为今年半导体市场上最大的消费者。

今年以来，设备厂商们对半导体领域的投资热情十分高涨。据市场调查机构IHS的估计，今年全球主要设备生产商的半导体市场开支有望增长至2652亿美元，较去年的2544亿美元，同比增长4.2%。更为重要的是，2013年的半导体市场消费规模将达到过去六年来的最高水平。

业已成为全球PC货量最大的中国市场，目前在与全球PC相关的芯片支出方面仍占有举足轻重的比重。据市场调查机构IDC估计，全球芯片产业在今年仍有望实现较低的个位数增长，增长主要是来自于移动领域，其中苹果和三星为该领域的统治者。据IHS的数据显示，仅无线通讯板块今年就占据了半导体市场26%的份额，即大约620亿美元的份额。该板块在2013年也是增长最快的一个市场，全年预期增幅达12.8%。

据悉，苹果和三星是今年半导体市场上支出规模最高的两家公司，排在它们之后的一些厂商包括有惠普、联想、索尼、戴尔、思科、松下、东芝以及华硕电脑。当中部分厂商既为芯片生产商身份，也同时为芯片供应商，还有部分厂商在芯片支出方面保持着增长，也有部分厂商出现了下滑。

技术创新或催生新一轮"元器件热"

我国科学家首次研制出新型微电子半浮栅晶体管，这标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得了重大突破，再加上年内国际巨头的争相投入，半导体投资热情不减，预计新一波的"元器件热"将顺势而出，相关个股华微电子、复旦复华、长电科技及风华高科有望获得资金的青睐。

华微电子：公司自2007年起开始进行"新型电力电子器件MOSFET产品技术研发项目"，取得了一项发明专利("一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺"，)和两项实用新型专利("采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件"，"一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件")，从而形成了一套完整、成熟的MOS制造技术和工艺体系，目前已开发出200V、400V、500V、600V系列产品，并已在公司现有48万片六英寸生产线上实现了批量化生产。

长电科技：经国家发改委批准，以国内集成电路封测领军企业江苏长电科技股份公司为依托，联合中科院微电子研究所、清华大学微电子所、深圳微电子所、深南电路有限公司等五家单位共同组建的我国第一家"高密度集成电路封装技术