“共筑美好社会”，从东芝开始---东芝半导体&存储产品成功亮相2016慕尼黑上海电子展

日本半导体制造商株式会社东芝（Toshiba）旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，携旗下领先的工业电子、物联网应用及汽车电子等众多技术和产品成功亮相2016年慕尼黑上海电子展。东芝本次参展的主题为「共筑"安心"、"安全"、"舒适"的美好社会」，高度契合了中国发展的现状和行业趋势，受到了业内同仁们的一直好评；其凭借雄厚技术实力展出的面向工业、物联网、汽车等应用的技术、产品和解决方案更是受到了到场观众们的追捧。

东芝已连续3年参加慕尼黑上海电子展，每次都带来不断创新的技术和产品。此届展会东芝同样举办了媒体见面会，邀请了业界各领域知名媒体，由东芝半导体&存储产品公司技术营销部总经理兼技术营销总监吉本健先生、东芝电子（中国）有限公司董事长兼总经理田中基仁先生、东芝电子亚洲有限公司副董事长野村尚司先生，向业内阐述东芝半导体对技术趋势的理解、对应用市场的看法和对中国市场的规划。

东芝电子（中国）有限公司董事长兼总经理田中基仁先生说道："东芝一直相信并坚持无论科技如何发展，它一定要落实到为人们生活提供服务，这也是我们此次提出‘共筑美好社会’的基石。东芝通过此次在工业、物联网以及汽车电子等三个领域展出的技术和产品为‘共筑美好社会’提供了科技基础。从社会体系到每一个人，东芝半导体的支持无所不在。"

本次展出的明星产品有：

工业：面向电铁、电力转换、工业用变频器的大型IGBT模块；采用高效率高性能SiC的新一代功率半导体器件；有助于提高设备节能的低损耗MOSFET；广泛应用于电源系统的分立器件产品线；通过硬件进行矢量引擎控制。

东芝此次参展产品的一大亮点是展出了采用第三代半导体技术的代表-SiC材料的器件。SiC具有大禁带宽度、高临界场强、高热导率和高载流子饱和速率等特性，其品质因数远远超过了其他材料，因而成为制造高功率器件、高频器件、高温器件和抗辐照器件最重要的半导体材料。SiC材料在东芝产品中的广泛使用将进一步夯实东芝在功率器件方面的领先优势，并且为未来发展奠定坚实的基础。东芝目前将SiC材料应用在1000伏以上的工业、能源等大功率产品。

东芝在原有IGBT的基础上通过采用"注入增强结构（IE：Injection Enhanced）"技术实现了低通态电压，推出专利产品IEGT。由于其采用了SiC-SBD新材料，具有低导通电阻和低开关损耗等特性，实现了大功率变频器的节能，而且其优势随着大功率项目功率等级和电压等级的不断提高而逐步提升。IEGT控制的门极驱动电流小，它既能减少系统的损耗，也能提高元件的使用寿命，且IEGT调速空载时系统损耗低，符合绿色节能的要求，使得系统运行成本更为经济。东芝的IEGT已经在为中国电力转换设备实现高效、节能、轻小型的目标做出贡献。

东芝的IEGT除采用了SiC材料之外，在封装上还采用了PMI（塑料模块）和东芝独有的PPI（压接式）两种方式。塑料模块式封装采用螺纹连接，它具有方便拆卸的特性；压接式封装具有无焊层、无引线键合、双面水冷散热和失效短路的特点。这两种封装的采用，使得东芝的IEGT器件具有更低的热阻、更高的工作结温、更低的寄生电感、更宽的安全工作区和更高的可靠性，在减少器件的同时大幅提高了功率密度和系统可靠性。

东芝此次还带来了市场份额第一的光耦器件，新的LED技术使得东芝的光耦得以满足多种技术条件，如具备使用寿命长，可靠性高以及工作温度高等特点，其原生的低功耗设计使得东芝的光耦更节能。其新的封装形式可以使器件直接贴装在PCB板的背面，为系统节约空间。

物联网：业内领先的低功耗蓝牙分布式网络技术；48层堆叠技术的3D闪存BiCS FLASH™；具有高可靠性、且支持NVMe^TM接口的新型单一封装SSD；近距离无线通信技术TransferJet™；在世界79国取得认证的搭载无线LAN功能的SD存储卡FlashAir^TM；可处理各种传感器数据的应用处理器ApP Lite™。

东芝的低功耗蓝牙分布式网络技术是支持蓝牙核心规范4.1版本（Bluetooth Core Version 4.1）的自组网方式。与其他竞品不同，东芝的技术同时支持主从设备的多连接或并发连接和同时支持两个或多个主设备之间的多连接，可使用极小型设备轻松创建网络。东芝利用该技术促进基于分布式通信网络的实现和推广，并为优化自动监控系统和多功能应用等物联网（IoT）应用所需通信功能的设备提供支持，例如互联家居产品、可穿戴设备、医疗设备、智能手机配件、遥控器、玩具等等。

在数据存储方面，东芝拥有的技术和产品更是不可撼动的业内领袖，此次带来的全球首款48层3D堆叠