中国射频产业掀起“第三波浪潮”

近日，本土射频器件厂商广州智慧微电子（SmarterMicro）以投后6亿人民币估值完成了9,200万人民币的融资，唯捷创芯（Vanchip）以14亿估值完成了7,000万人民币的融资，而国民飞骧也正在进行中，计划以投后5亿估值融资6,000万人民币。这三家公司也是目前中国本土手机射频前端器件中的明星公司，在重要器件4G PA（功率放大器）上均已量产出货，颇具代表性，而他们三家也采用了不同的产品与工艺策略，文章后面会详细聊聊。

随着多模多频全网通，4G向4G+演进，以及即将来到的5G通信对手机射频器件的爆炸性需求，资本市场对射频器件产业投来了从未有过的热情。射频器件厂商不仅是在上面提到的一级市场受到热捧，二级市场更是疯狂：前不久一家A股的上市公司麦捷科技，由于开始涉足Saw滤波器，被资本市场的热钱追捧，过去5个月涨幅超过50%。

我称这一波资本与需求双轮强力推动的浪潮为射频器件产业的"第三次"革命浪潮，将有各路庞大的资金与人才技术等资源进入中国市场，会推动中国射频器件产业发生质的变革，从而带来全球手机射频产业的真正洗牌，5-8年后可以看到结果。

"手机中所有核心器件都国产化了，唯独有射频器件，95%还是欧美厂商主导，甚至没有一家亚洲厂商进入。这个现象是不正常的，肯定会被打破，中国芯片公司的机会最大。"前不久，在一次小范围的论坛上，我听华为海思RF射频专家这样评论道。现在，手机中RF器件的成本越来越高，一个4G全网通手机，前端RF套片的成本已达到8-10美元，含有10颗以上射频芯片，包括2-3颗PA、2-4颗开关、6-10颗滤波器。未来随着5G到来，RF套片的成本很可能会超过手机主芯片。而物联网的爆发，更是会对射频器件的需求推波助澜。

所以，近十年来，围绕着射频器件这一重要市场，一直在发生寻求技术革命与突破的故事。

大胆尝试的第一次RF革命浪潮

大约12年前（2004年），锐迪科（RDA）的成立掀起手机射频器件领域的第一次革命，带领中国本土公司开始攻克欧美厂商完全主导的射频器件领域，他们在GSM手机上采用CMOS工艺替代GaAs的功率放大器，并成功量产，为用户降低成本并提升了集成度，但是被拦在了LTE/4G门前。2010年左右，另一批海归（几乎清一色是从Top3的国际射频器件厂商出来创业的技术骨干）看准3G与4G市场爆发带来的机遇，回到中国创业，这其中诞生了Vanchip、汉天下、中普微电子等在3G射频前端比较成功的公司，但是后两者也被挡在了LTE/4G门前。Vanchip在3G时代大获成功，但是过去两年官司缠身艰难前行，今年来在4G PA市场开始有大批量出货，前不久官司也终于尘埃落定，新一轮融资也到位，后续期待他们的表现。

前面提到的另两家，广州智慧微电子与国民飞骧，他们则是成立之初就定位于LTE/4G射频功放等器件，国民飞骧是2015年从国民技术分离出的射频器件公司，2年前其4G PA还被红米2A所采用，现在也被中兴等多家品牌采用采用。而智慧微电子则是2012年成立，也是由国际大厂Skyworks与Qorvo的技术人员回国创业。这里要说的是，他们采用了全新的"可重构"的架构：SOI（绝缘体硅）+GaAs的方式来实现多频多模RF前端器件的集成，其4G射频前端产品已被中兴和一些白牌厂商开始采用。随着SOI的成熟与渐行渐行热，他们的架构正在被越来越多的客户所认可，这种新的架构在集成度上比传统的GaAs将具有绝对的优势。"同样是符合MTK phaseII规范的射频芯片，Skywork的模块中需要叠加7个die（裸片），而我们仅需要2个die就可以实现。"智慧微电子CEO李阳表示。然而，他们能否成功，能否大规模推开，要看另一个巨头的革命了，因为它需要的是颠覆手机厂商对传统射频器件的理解。

高通掀起的第二次"数字革命"浪潮

一直以来，业界巨头与创新者都在梦想着用硅的工艺替代传统的GaAs工艺，用硅的高集成度、大规模经济效益替代GaAs，这里尤其要提的美国高通公司，他们在2013年掀起了一场声势浩大的"数字RF"革命。我称之为射频器件产业的第二次革命浪潮。

2013年起，高通公司以他的全SOI工艺杀入射器件器市场，一方面希望为用户提供真正的Turn key，另一方面也是看到未来射频器件在PCB上的成本会越来越贵、地位甚至会超过主芯片。他们期望用SOI（绝缘体硅）工艺来实现射频器件的设计与制造，虽然投入巨大（前期研发接近10年），并加上在市场上的强制性推行（有段时间甚至让用户只能选择他们的RF360前端），但是其RF360也基本上是无功而返，而这里最大的挑战是，硅工艺始终不能实现高频PA所需要的性能：全集成SOI虽然比全