中国射频产业掀起“第三波浪潮”

CMOS性能提升10-20dB，但是当高频时，散热是一个大问题，导致电流上升，性能下降，全SOI还是比GaAs要低5dB左右，这就会影响高频时的射频性能，高通的RF360也被拦在了LTE/4G高频前。

据昌旭了解，高通公司最终可能会放弃全SOI射频器件的策略，因为他们已经悄悄收购了美国两家GaAs工厂，一个在波士顿，一个在北卡罗拉。未来，很有可能也采用SOI+GaAs的方式。

高通的这一数字化革命虽然不是很成功，但是也进一步推动了中国市场上用"SOI"替代"GaAs"的革命。虽然PA上采用全SOI无法达到高频要求的性能，但是，在RF开关上却非常成功，现在已有90%的RF开关，从传统的GaAs工艺转到了SOI工艺。这其中，上海的卓胜微电子脱颖而出，成为RF开关市场的明星，这几年成长非常快，已可量产单刀10掷开关，从低端到高端覆盖面广，且有比较大的价格优势。除了卓胜微电子，上面提到的国民飞骧、Vanchip等公司，也都在量产基于SOI的RF开关。目前，国内做SOI射频开关的公司已有20-30家，价格战已开始进入白热化。

这里稍微提一下，相应地，在高通为射频器件寻求SOI革命时，MTK则是从另一个角度进行了革命。MTK为给用户带来更方便的射频器件替代（射频器件是手机市场上经常缺料的品种，因为它独特的工艺），推出了一套管脚兼容的phase计划，要求与MTK主芯片配套的Skyworks、Qorvo（RFMD与TriQuint）、安华高以及村田等，提供管脚兼容的RF模块，这一规范2014年开始推出，现在phase2已成为市场上的主流规范，为MTK的手机客户带来便利，使得他们可以有多个供应商选择。

而昌旭认为，MTK这一管脚兼容计划，从另一个层面来说，为中国的RF器件厂商进入LTE/4G市场打开了一敞门——使得欲进入这一领域的中国厂商有规可循，他们会跟随Skyworks等等大厂的技术的规范，借着管脚兼容的机会，以低成本替代欧美厂商的4G RF模块。

第三次射频器件浪潮下的中国公司

射频产业的第三次浪潮是由巨大的需求与强大的资本双轮驱动的，我们先来看看这一浪潮下的几家明星中国公司。

这里，我分别介绍一下目前在4GPA器件市场已成功批量出货的中国三家明星厂商，唯捷创芯（Vanchip）、广州智慧微电子（SmarterMicro）以及国民飞骧，也就是文章一开始就提到的最近已经或者正在进行融资的三家明星公司。

唯捷创芯（Vanchip）：2010年由前RFMD人员成立，以主流的GaAs工艺切入射频PA市场，在中国3G时代很成功，后遭遇前东家的起诉，过去两年技术进程放缓。前不久，交了几千万的和解金，纠缠几年的官司终于和解。该公司CEO孙亦军特别对昌旭解释了一些大家的误解："我们被告的不是知识产权问题，而是涉及商业机密。对于砷化镓工艺，已经没有专利的问题。现在涉及商业机密的官司已经和解，客户尽可以放心采用Vanchip的技术与产品。"

孙亦军也很坦承地表示，"最新PA产品上，我们与国际一流厂商目前还相差9到12个月，争取明年这将一差距缩短到6个月。"比如Skyworks已经开始在研究phase5了，预计明年底推出商业化产品。这个国内公司望尘莫及。

但是，在现在的主流产品phase2上，他认为Vanchip与国际一流厂商同等水平，模块中也是集成了七个裸片，其中3个不同频段的PA裸片，3个不同频段的开关裸片，1个控制器。PA采用GaAs工艺，开关采用SOI工艺，控制器采用CMOS工艺。"Skywork的phase2LTE模块1.7美元，我们仅1.3美元，具有较大的成本优势。"他说道。phaseII套片包括两个模块，除了这个功放模块，还需要10个滤波器和外挂4到5个天线开关。

"至于MTK定义的phase3，目标是一个套片可以供全球所有的大客户，覆盖广，需要三个模块，能够支持band41等等全球全网通频段。Phase3需要把射频功放与滤波器集成在一起，国产公司在滤波器上是短板，目前采用的是和全球大的滤波器公司合作。这个产品Vanchip争取在年底的时候也会推出。

然后就是前面提到的phase5(中间没有phase4，发音不吉利哈)，Skyworks等国际厂商已经开始在研究phase5了，预计明年底推出商业化产品。"我们争取在phase5上与国际厂商的发布时间缩短到6-9个月。"他表示。

谈到对高通平台的支持，孙亦军表示，之前由于官司在身，与高通芯片的对接是个问题，高通没有同步开放接口，现在这个问题基本已经解决，对高通的LTE/4G 射频PA方案会在年底推出。

作为国内最成功的RF PA公司之一，孙亦军特别对新入者指出："对于GaAs工艺的射频PA来说，就算量产以后，随着量产的数量不断增加，还需要迈过一个个的门槛。比如说单月100万，单月50