基于SRAM芯片立体封装大容量的应用

图6 VDSR16M32芯片的写操作时序图

VDSR16M32芯片的写入操作步骤如下：
1) 通过地址总线确定要写入信息的位置(确定#OE 引脚没有被激活)。
2) 通过数据总线将要写入的数据传输到I/O引脚
3) 激活#CS0或者#CS1选择该芯片的BLOCK0或者BLOCK1。
4) 激活#WE引脚,通知VDSR16M32芯片知道要开始写入操作。
经过上面的四个步骤之后，需要写入的数据就已经放在了需要写入的地方。

2 VDSR16M32的硬件电路设计

2.1 VDSR16M32与S698-T的电路连接

S698-T是珠海欧比特控制工程股份有限公司面向嵌入式控制领域而研制的一款高性能、高可靠的 SoC 芯片，S698-T芯片的存储器控制器提供了直接访问PROM、I/O空间、SRAM、SDRAM的接口。其中，访问ROM、I/O空间、SRAM时，支持8位、16位和32位三种数据总线宽度，其存取时间参数可配置。下面以S698-T为例介绍SRAM存储器为不同位宽时与MCU的硬件连接方式。

VDSR16M32作为32位存储器时与S698-T微处理器的电路连接图如图7所示，其中Data【31:0】为微处理器S698-T的32位数据线，Address【19:2】是S698-T中28位地址线中的第2位至20位，S698-T在32位总线访问时，地址线从A2开始选址。OE*是S698-T的外部存储器输出使能信号低电平有效。WE*是S698-T的外部存储器写操作使能信号，低电平有效。RAMS0*、RAMS1*是S698-T的SRAM BANK0、BANK1的片选信号，低电平有效。当S698-T进行32位总线进行读写数据操作时，必须同时选择片选#CS0和#CS1。

图7 VDSR16M32作为32位存储器与S698-T的电路连接图

VDSR16M32作为16位存储器时与S698-T微处理器的电路连接图如图8所示，其中Data【31:16】为微处理器S698-T的高16位数据线，S698-T是高数据位有效。Address【18:1】是S698-T中28位地址线中的第1位至18位，S698-T在16位总线访问时，地址线从A1开始选址。OE*是S698-T的外部存储器输出使能信号低电平有效。WE*是S698-T的外部存储器写操作使能信号，低电平有效。RAMS0*、RAMS1*是S698-T的SRAM BANK0、BANK1的片选信号，低电平有效。当S698-T进行数据操作时，选择片选#CS0或者#CS1来选择操作BLOCK0或者BLOCK1，BLOCK。

图8 VDSR16M32作为16位存储器与S698-T的电路连接图

VDSR16M32作为8位数据与S698-T连接时，牺牲了芯片的一半性能，所以不推荐这样使用。VDSR16M32作为8位存储器时与S698-T微处理器的电路连接图如图9所示，其中Data【31:24】为微处理器S698-T的高8位数据线，S698-T是高地址有效。Address【17:0】是S698-T中28位地址线中的低18位，OE*是S698-T的外部存储器输出使能信号低电平有效。WE*是S698-T的外部存储器写操作使能信号，低电平有效。RAMS【1:0】是S698-T的SRAM BANK0-BANK1的片选信号，低电平有效。

图9 VDSR16M32作为8位存储器与S698-T的电路连接图

3.结 语

对于由静态随机存储器（SRAM）堆叠而成的立体封装的大容量存储芯片VDSR16M32，由于拥有32位数据线，两个BLOCK，并且数据位可灵活配置，可满足不同CPU对位宽的要求。同时基于SRAM芯片立体封装存储器缩短了内部信号连接长度、减少了寄生效应，增强了抗干扰能力，可广泛用于车辆、卫星、飞机和空间站等对存储器条件要求高的地方。