晶圆级封装: 热机械失效模式和挑战及整改建议

图10：[A] 直接配置和锥体配置的BEoL层和聚合物层应力分布图[B] BEoL栈周围应力变化(见应力提取通道图[A]上的灰箭头) (独立封装配置)

在决定了边缘设计方法后，我们需要确定在BEoL栈上发生较低应力的准确位置。为此，我们测试了各种位置：平坦区(图11 #1, #4)、密封环(图11 #6)上方、钝化拓扑底部不同位置(图11 #2 #3 #5)。

图11：有聚合物的配置与无聚合物的配置之间的应力变化。在SiN钝化层内提取拉伸应力Sy。不同配置间的应力差异主要出现在聚合物边缘。

鉴于聚合物末端在BEoL栈上产生拉伸性负载，确定选项#6为首选。因此，密封环的‘锚定’特性可限制其潜在的不利影响。为辨别结构差异，关注点放在钝化层应力上。

不出所料，发现两个大类：第一类(#2, #3 & #5)是聚合物层末端靠近一个几何奇点，引发最大应力；第二类(#1, #4 & #6)是聚合物层末端在一个平坦面上，这里观察到最小应力。提案#6(即密封圈上方)的改进作用并不明显，需要说明地是，这可能是所用分析标准造成的，本文只分析了SiN层的完整性，BEoL中间层的离层风险并未视为一种失效模式。基于这些结果和过程可变因素，将边缘置于较大的平坦区域是比较安全的，这对应配置#4。

钝化性质
聚合物层边缘、暴露于空气中的结构和焊盘的存在，让WLCSP封装的钝化层成为一个重要区域。开发人员可以从厚度和残余应力角度探讨最佳设计。因为我们跟踪的失效类型是机械失效，所以讨论重点放在氮化物层的特性方面。为此，我们测试了不同厚度与残余应力的相对变化，见表1.

表1.探讨过的参数表

图12：[A]SiN厚度的影响[B]SiN残余应力的影响

应力是从聚合物层下面的SiN层提取的(图12)。测试结果显示，SiN越厚，应力越小。还应记住，如果厚度较大，真层拓扑可能会更平滑，奇点更少，因此，可降低失效风险。关于残余应力影响，根据最初假定值，最终应力被迁移。因此，通过降低残余应力，降低了最终应力状态的数学值。不过，增加厚度方法不能随意修改，还要记住对其它特性(例如，电气、可靠性和热变形)的影响。因此，必须找到一个折衷的办法，考虑到所有的副作用。

4. 结论
本文概述了WLCSP晶圆级封装的特异性，先简要介绍了扇入和扇出型封装特异性以及封装流程；然后，描述了在制程工序和/或可靠性测试期间发生的不同的热机械失效。裸片边缘带和焊球四周是高度敏感区域，发生过很多失效问题。为更深入地了解所涉及的结构，本文采用有限元法分析了WLCSP封装失效问题。首先，建立一个3D封装模型，初步了解扇入型封装的热机械特性。研究发现，焊球和聚合物边缘是影响可靠性的重要位置。然后，用一个2D模型深入分析聚合物边缘的影响，优化BEoL层。实验发现，终止在平坦区域的锥体沉积法可降低在BEoL钝化层发生的应力。最后，我们研究了SiN厚度及残余应力的影响，并建议提高SiN层厚度，以降低残余应力。

本文能够让读者朋友更好地了解WLCSP封装在机械性能方面的特异性。通过介绍一组与有限元法结果相关的典型失效，我们概括了主要有效参数和可靠性改进建议。