格罗方德宣布2018年年初推出7nm制程

1.格罗方德宣布7nm制程 2018 年初推出 并于当年年底量产;2.格芯推出面向数据中心、机器学习和5G的7纳米集成电路平台;3.联电CEO颜博文退休 简山杰、王石接共同总经理;4.满足先进IC封装设计需求 明导推Xpedition高密度先进封装流程;5.大陆半导体战火一路延烧到光罩产业 纷纷至大陆建厂

1.格罗方德宣布7nm制程 2018 年初推出 并于当年年底量产;
集微网消息，格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的（7LP）FinFET半导体技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪，基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出，并将于2018年下半年实现量产。

2016年9月，格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀，来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比，预计面积将缩小一半，同时处理性能提升超过40%。目前，在格芯位于纽约萨拉托加县的全球领先的Fab 8晶圆厂内，该技术已经做好了为客户设计提供服务的准备。

格芯CMOS业务部高级副总裁Gregg Bartlett先生表示："我们的7纳米FinFET技术正在按计划进行开发。我们看到，格芯在2018年计划出厂的多样化产品对客户有着强大吸引力。在推动7纳米芯片于未来一年中实现市场化的同时，格芯正在积极开发下一代5纳米及其后续的技术，以确保我们的客户能够在最前沿领域内获取世界级的技术蓝图。"

据悉，格芯还将持续投资下一代技术节点的研究与开发。通过与合作伙伴 IBM 和三星的密切合作，2015年格芯便宣布推出7纳米测试芯片。此后，格芯又于近日宣布业内首款基于硅纳米片晶体管的5纳米的样片。目前，格芯正在探索一系列新的晶体管架构，以帮助其客户迈进下一个互联的智能时代。

格芯的7纳米FinFET技术充分利用了其在14纳米FinFET技术上的批量制造经验，该技术于2016年初2月8日在Fab 8晶圆厂中开始生产。自那时起，格芯已为广泛的客户提供了"一次成功"的设计。

为了加快7LP的量产进程，格芯正在持续投资最新的工艺设备能力，包括在今年下半年首次购进两个超紫外光（EUV）光刻工具。7LP的初始量产提升将依托传统的光刻方式，当具备批量生产条件时，将迁移至EUV光刻技术。

2.格芯推出面向数据中心、机器学习和5G的7纳米集成电路平台;
集微网消息，格芯今日宣布推出其基于7纳米FinFET工艺技术的FX-7TM专用集成电路（ASIC）。FX-7是一个集成式设计平台，将先进的制造工艺技术与差异化的知识产权和2.5D/3D封装技术相结合，为数据中心、机器学习、汽车、有线通信和5G无线应用提供业内最完整的解决方案。

据悉，FX-7 ASIC产品设计套件现已就绪，预计在2019年实现量产。

基于FX-14的持续成功，凭借业内领先的56G SerDes技术和专用集成电路专长，FX-7提供包括高速SerDes（60G, 112G）在内的全方位定制接口知识产权和差异化存储解决方案，涵盖低功耗SRAM、高性能嵌入式TCAM、集成式DACs/ADCs和ARM处理器，以及诸如2.5D/3D的先进封装选择。此外，FX-7产品组合可面向以超大型数据中心、5G网络、机器与深度学习应用为代表的低功耗和高性能应用，为其提供全新的设计方法和复杂的ASIC解决方案。未来，FX-7有望被运用于支持汽车ADAS及图像应用的解决方案。

格芯ASIC业务部高级副总裁Mike Cadigan 表示："随着全球网络中数据流量和带宽的爆炸性增长，我们的客户不断提出新的需求。利用我们最先进的7LP FinFET工艺技术，FX-7产品能为面向诸如数据中心、深度计算、无线网络等新兴领域的客户，提供最先进的低功耗、高性能ASIC解决方案，从而不断提升我们为客户服务的领导者形象。"

"得益于格芯在硅芯片的制造专长与IBM前半导体技术业务的有力结合，格芯的7纳米FinFET工艺技术展示了其先进科技和市场领导地位，"TIRIAS Research 创始人兼首席分析师Jim McGregor,表示，"通过其最新FX-7 ASIC产品，格芯将业务版图从传统代工客户拓展至新一代系统公司，这些公司正寻求将前沿芯片工艺应用于从人工智能的深度学习到下一代5G网络等广泛领域。"

3.联电CEO颜博文退休 简山杰、王石接共同总经理;

联电执行长颜博文将退休。

晶圆代工厂联电今日召开董事会，并通过执行长颜博文退休案，将由资深副总简山杰及资深副总王石，接任共同总经理一职，上述人事异动于今日生效。 联电董事长洪嘉聪表示，结合简山杰与王石优势互补经验与能力，将使联电拥有