请教大牛FF和lvt之间的关系

FF和lvt是否都是通过调整掺杂，来降低阈值电压，提高速度?
比如一个设计，方法1：全部使用svt器件，这样如果流片的用TT，频率做不到1G，采用FF拉偏，频率达到1G，方法2：部分使用lvt，流片时候用TT，也达到1G，是否一样?

第一种可能导致工艺window 太窄, 良率不稳.个人倾向第二种

弱弱的问一下，所谓的FF拉偏是指什么?难道有办法特意做出偏FF的芯片?

我看到有说法说FF后良率会更好一些?可能和频率指标相关?

我理解是通过掺杂等，一定程度降低晶体管的阈值电压等参数，提高性能。还是听专业人员来解释

都有可能, 要看工艺window 在哪里, 就是device 快了好还是慢了好. 之前说的可能导致良率不稳定,现在想想欠妥. 另外, 拉偏就是通过调整阱的浓度, LDD等来实现device 快慢的调节.