TSMC 转SMIC
同问，希望各位大侠赐教
很简单啊， 只需要map一些gds layer，
需要啥帮助么，可以提供，
多跑些仿真
相同特征尺寸的设计可以在不同的fab流片
现在已经很正常了。如楼上所说，多跑仿真 满足条件都应该是可以的
没啥不靠谱的
map以后会出现很多的drc问题，而且比如说电阻、电容，等它们的logic operation TSmc与SmiC的定义不一样，这样的到的电阻电容值或者可能就不能得到电阻电容，这样就不就没有意义了吗?
请问您做过此类的工作吗，我发现map以后会出现很多的drc违规，至于仿真我觉得很难，因为tsmc和smic的logical operation 有些不一样，所以可能得到的电阻、电容值不一样，或者可能就得不到，是否可以只对mask layer 进行map 就行，仿真可以忽略呢?请指教
请问您做过此类的工作吗，我发现map以后会出现很多的drc违规，至于仿真我觉得很难，因为tsmc和smic的logical operation 有些不一样，所以可能得到的电阻、电容值不一样，或者可能就得不到，是否可以只对mask layer 进行map 就行，仿真可以忽略呢?请指教
tsmc和smic工艺的 model 能匹配吗?
那能换成UMC或其他代工厂吗?
都不难的 ，很简单的，
这要改好多东西吧
加map，修DRC，重新放仿真看结果是否适合，以前做过一次，转完后将DRC改完后，流片结果和以前tsmc差不多。
关键map中那些定义不同layer怎么处理啊?
同好奇！
很简单的
光说简单有个毛用，你说说嘛怎么个简单法，怎么操作
模拟电路按道理你们自己的designer应该知道怎么改的，尤其是电阻值，可能要改版图。
还有另一种方案，即满足功能一致、时序满足要求的方法：
(1) GDS通过NetExtract，获得spice级别、最好是Gate级别的网表
(2) 构成Gate级别的Verilog网表，去除杂散的tree、scan cell
(3) 重新综合到新的工艺库上、按接口要求进行重新布局布线
(4) 通过formilty验证逻辑一致性、通过pt验证是否符合时序
(5) 最好后仿真一下核心功能
硬生生的GDS－>GDS的方法不是不可以，但手工修改DRC错误会令人发狂。当然如果工艺差别不大，结合人工与脚步，也是可以实现的。
另：GDS->GDS还要小心版图是有专利的哦！
层次的转换就可以了~！
学习了啊
这都可以啊，牛……
analog设计的好也根本不用改，能够承受工艺偏差的。
这种做法还是比较靠谱的。
以前公司对90nm干过，通过layer map肯定不靠谱，除非你的设计余量很大，设计规则没有问题。正向的话好说，所有脚本都跑一边，最后ECO一下，容易跑通！模拟的话，仿真肯定是要做的，没有大的异常也就那样了。
逆向的话，哈哈，建议：1.首先提取TSMC网表，元件替换，仿真，如果能够通过，go ahead. 2. GDS修改。 3. 提取网表后仿真！
都不难的 ，很简单的，
真的受教了
同问，希望各位大侠赐教
怎么都说简单没有具体说下的
感觉好厉害……不知道jazz的转成tsmc可不可以
都不难的 ，很简单的，！