请问有用过SRAM Generator的大侠吗？
下图是 Single-Port SRAM with Redundancy
是不是阴影部分才是SRAM的cell，其他的地方都是外围电路逻辑?
这个Redundancy我还没理解好，是必须有的吗?上图的意思难道是那4个阴影是4个Redundancy的意思（我感觉此图解释的不清楚啊）?
以下是我生成的任意的一个instance，我不太能看懂，我猜geomx和geomy是什么东西的尺寸，但是它们对应的是“ff_1.32v_-55c” 之类的东西，手册里根本没有解释。请问以下的geomx/y以及 ff_1.32v_-55c等如何对应到上图的各部分呢?
# sram_sp_adv words=1600 bits=32 mux=8
# drive=6 frequency=100.000
# ring width=2
# ema=on
nameff_1.32v_-55cff_1.1v_-55ctt_1.2v_25css_1.08v_125c
SNNNN
geomx494.030494.030494.030494.030
geomy250.475250.475250.475250.475
ring_size3.0403.0403.0403.040
volt1.3201.1001.2001.080
temp-55.000-55.00025.000125.000
tcyc00.4430.5240.6571.075
tcyc10.5030.5960.7461.224
tcyc20.5860.6950.8711.432
tcyc30.6200.7350.9201.517
tcyc4999.000999.000999.000999.000
tcyc5999.000999.000999.000999.000
tcyc6999.000999.000999.000999.000
tcyc7999.000999.000999.000999.000
ta00.3230.4010.5770.978
ta10.3820.4730.6661.127
ta20.4660.5720.7911.336
ta30.4990.6120.8411.420
ta4999.000999.000999.000999.000
ta5999.000999.000999.000999.000
ta6999.000999.000999.000999.000
ta7999.000999.000999.000999.000
tas0.1250.1500.1860.306
tah0.0070.0130.0090.019
tcs0.1820.2150.2520.416
tch0.0000.0000.0000.000
tws0.0980.1060.1290.200
twh0.0000.0000.0000.000
tds0.0570.0580.0730.111
tdh0.0170.0280.0290.037
tckh0.0190.0260.0300.053
tckl0.1600.1910.4250.390
tckr1.0001.0001.0001.000
icap_a0.0430.0400.0430.044
icap_d0.0200.0180.0190.019
icap_clk0.1000.0950.1020.102
icap_cen0.0250.0240.0250.025
icap_wen0.0260.0250.0260.026
load_q0.3020.2820.4600.592
icc04.2413.3273.6263.137
icc14.6803.6904.1083.538
icc24.9613.9154.3503.761
icc35.0644.0014.4273.848
icc45.5264.3754.8364.166
icc55.6384.4714.9734.245
icc65.7704.5795.0724.324
icc75.8574.6395.1244.398
icc_r04.9343.9554.2533.634
icc_r15.5784.3854.8404.115
icc_r25.9884.7145.1944.439
icc_r36.1394.8395.3064.566
icc_r46.8165.3875.9035.030
icc_r56.9805.5266.1025.145
icc_r67.1745.6856.2485.261
icc_r77.3025.7746.3245.369
icc_w03.5482.6982.9992.639
icc_w13.7832.9943.3762.961
icc_w23.9343.1153.5073.083
icc_w33.9893.1623.5493.130
icc_w44.2363.3643.7693.301
icc_w54.2963.4153.8433.345
icc_w64.3663.4733.8963.387
icc_w74.4123.5053.9243.426
icc_peak142.105101.02490.69251.812
icc_desel8.39E-16.47E-17.52E-17.17E-1
icc_standby6.76E-12.73E-16.86E-19.05E-1
pwn_ck10.00010.00010.00010.000
vn_ck0.3380.3290.3330.293
vn_pwr0.1320.1100.1200.108
vn_gnd0.1320.1100.1200.108
# EMA feature specific information.
icap_ema0.0290.0270.0290.029
temas0.4430.5240.6571.075
temah0.4430.5240.6571.075
那4个面积最大的core才是真正的SRAM的cell 矩阵
Redundancy是当core里面有坏的cell时，可以用Redundancy的行/列来替换
ff_1.32v_-55cff_1.1v_-55ctt_1.2v_25css_1.08v_125c 是4个不同PVT条件，比如第一个的意思是：FF工艺，1.32v电压，-55度C温度的条件，其他以此类推
多谢小编指点迷津！
是不是ff_1.32_-55c之类，只是代表不同条件下的分类，而真实的面积（4个Core）就是494*250吧?
图中SRAM被分成四大块，数据里还正好是4个494*250，所以我就以为4*494*250才是总共的面积。
小弟我还有一事不明：
我把generate的instance保存成gds2，然后import到virtuoso里成一个library，选项里我任意加了一个*.map文件，还attach了一个cmos9sf的library，结果发现版图的面积巨大，远远大于494um*250um.
请大侠帮我分析一下可能的原因。是不是map文件的问题?如果是您，会如何把SRAM加到virtuoso里和别的电路连接?
谢谢
多谢小编指点。
我起初以为，图中的SRAM CELL分成4块，表中的数据分成4列，应该是一一对应的吧（现在开来是错误理解了，呵呵）
也就是说按照此表，图中的总面积应该是494.3*250.475， 而不是4*494.3*250.475?
小弟还有一事不明：
我试图把SRAM Generator 生成的gds2文件import到virtuoso里面，试图手动地把SRAM和我用encounter生成的处理器CPU1的 Layout连接。
在import gds2时，我沿用了 导入CPU1的gds2时使用的.map文件，而且随便给SRAM attach一个cmos9sf的library，结果是layout里看到的SRAM巨大，远远大于494um*250um。请小编帮我分析一下是什么问题呢?如果是您想把一个sram连接到数字模块的layout上，您会怎么做呢?
真实的面积（4个Core）就是494*250
多谢小编指导。
请问SRAM的面积是不是不随着word的数量的增加而线性增加?
我的这个例子是1600个word，尺寸是494 x 250;
我的另一个例子是256个word，尺寸是494 x 148;
请大侠评说一下以上变化是否合理啊。谢谢了。
learning ！