STI和场氧的区别

STI的引入是为了防止LOCOS的bird's beak effect

我觉得你是想问STI和LOCOS的区别吧?
STI: shallow trench isolation，主要用来分隔有源区，通过在silicon上挖一个深槽，然后长一层高质量高密度的氧化层，然后通过化学气垫生成质量差一点的氧化层把槽填满。STI弄好了，才划分出了有源区。一方面STI可以避免鸟嘴问题，另一方面，因为它比较深，可以做到一些隔离效果。不过在40nm以下，STI对有源区产生的stress会对晶体管性能有影响。