微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微电子和IC设计 > IC版图设计交流 > 版图提取参数问题求解

版图提取参数问题求解

时间:10-02 整理:3721RD 点击:









请问各位,我的版图DRC和LVS都过了,然后提取版图参数的时候的netlist看上去也没有问题,但是在生成calibre的时候报了4个错误,分别是折叠的PMOS和NMOS前一级的B接到了后一级的G,求解这是软件的问题吗,怎么才能解决呢?谢谢各位!

我表示这个原理图我没看懂,更迷惑你的LVS结果

那不是原理图,是提参后的Calibre。原理图就是个反相器,版图用的是原漏共用的结构,有源区有3根Poly,于是PEX应该是提取出三个并联的PMOS和NMOS才对。但是现在Netlist和Hspice都是没问题的,但就这个Calibre报错,说我bulk和gate短接了。我表示很冤啊

你将版图放开点,应该是器件太近了,结果电路端口被迫重合在一起了。所以报错。

Calibre in的时候将放大倍数设置为小数(默认为1),即缩小,你目前报error原因是schematic中device太密了有overlap,导致了short,或者不要将摆放位置设置为layout location,改为array试试看看。

问题已经解决了,谢谢!就是calibre视图管子放大倍数的问题,把默认值该小一点就可以了!

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top