VDD和GND金属层选择及布线连接的问题
时间:10-02
整理:3721RD
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请问:
我现在用的工艺有九层金属,那VDD和GND应该用哪层金属、如何连接到底层的M1、OD上?
好像大家都用顶层金属做VDD plane和GND plane。 如果这样是不是比如用M9作VDD plane、M8作GND plane,尽可能地在芯片全局铺开,然后到了哪里需要连接的地方再用via从M9/M8一直打下去?
还有一个问题:其它层的闲置金属(比如只用了很少部分的M5\M6\M7)怎样处理最好?是不是应该尽量填充,都连接起来然后全接GND?
谢谢
我现在用的工艺有九层金属,那VDD和GND应该用哪层金属、如何连接到底层的M1、OD上?
好像大家都用顶层金属做VDD plane和GND plane。 如果这样是不是比如用M9作VDD plane、M8作GND plane,尽可能地在芯片全局铺开,然后到了哪里需要连接的地方再用via从M9/M8一直打下去?
还有一个问题:其它层的闲置金属(比如只用了很少部分的M5\M6\M7)怎样处理最好?是不是应该尽量填充,都连接起来然后全接GND?
谢谢
和design讨论 需要的地方等比例分布练到topvdd与gnd 之前我遇到过 。个人意见 可以互相讨论