版图ESD求助

时间：10-02 整理：3721RD 点击：

一输入输出端口I，最大电压为16V，挂载的ESD开启电压设计为18V，同时该端口通过一个二极管连接的NMOS器件连入内部（接法为：该端口接G/S，使用的PN结为D和B。另外，S端做了ESD的规则处理，D端未做ESD的规则处理），该NMOS的D/S击穿电压为19V。理论上来说ESD器件可以对该NMOS进行比较好的保护，但是在ESD的实际测试时发现，在1kV的时候，该NMOS器件已经被损坏。请问是什么原因导致出现这种现象?如果要提高该NMOS器件的ESD承受能力，要对该器件进行如何处理（将G悬浮会不会好一些）?

如果是怀疑G端被打坏，不建议floating，可以考虑通过电阻再接到S。
此外，建议您到ESD/Latch-up 版块去问问，那边有更多的ESD先关资源。