影响电阻匹配的因素

温度梯度，电阻面积，周边环境。
建议把R塞在2R中间，上下各加dummy R

请问一下，电流方向对电阻的匹配会不会有影响

还是会啊，因为流过这两个电阻的电流都不一样。分上中下三根电阻来说：上面那个电阻和中间那根电阻的周边环境都不一样

环境不一样，可以理解，可是电流不一样，仅仅是方向不一致，这是怎么影响阻抗匹配的?

一般电阻另外也受电压，温度系数的影响，电流不一样，发热也不一样啊
回复 5# AngerWinTD

我还是不太明白，电流仅仅是方向不同，这会对发热造成什么样的影响呢

如果是考虑到电流走向的话，建议两个电阻的电流方向整体一致，朝一个方向。偶数电阻比较好匹配。

仔细看我的回复，我说的不一定是方向是不是一样，电流大小一样吗?发热I2R
回复 7# AngerWinTD

这些我也明白，但是搞不懂，电流走向如何影响匹配的

大神，你说的电流大小不同，会影响匹配，这我明白，但是我现在仅仅考虑电流走向对匹配的影响，这具体影响过程是如何的?不太清楚，不甚求解

电流流向有没有影响我不知道了，我觉得影响不大

电流方向对匹配的影响是由于不同晶格结构导致的细微的电阻的不同，而半导体中各个方向的晶格结构是不同的，例如常见的wafer是110晶向。
这就是为什么做匹配的管子要同方向放置，即使靠的很近也不能一个x轴一个y轴，以及电流方向要一致。

多谢

这个得看是什么电阻吧,还有电阻分了很多串,方向也跟着变，这个怎么弄?
没必要弄得这个严格吧，呵呵

完全看需求，这里就是说个存在的现象，不提倡设计过剩
这种做法在管子上要求比较多，有些做匹配的是禁止器件合并S/D端的，会导致流过沟道的电流方向相反。

把R放中间,2R，上下各一个，可以?

这个是以讹传讹，电流方向不一致当然可以，不要搞玄学。
Poly电阻是多晶硅，没有固定的晶格方向。

电流走向应该是不会影响匹配的吧
个人认为影响匹配的是，接触孔、阻体材料，工艺梯度，热梯度、布局方向等

影响的大小看应用条件，但是影响有没有，请确认单晶硅是各向异性的。
管子的gate和poly电阻是多晶硅，但是wafer本身是单晶硅，是走mos管电流的。

个人认为影响电阻匹配的因素主要有
1，电阻的类型，有源电阻和无源电阻，没有很大的功耗默认采用poly电阻
poly电阻的稳定性最好，阱电阻其次，有源区电阻最差、
2，对于精度要求高的电阻，电阻采用较宽的尺寸，同事调整长度，保证方块值不变
3，电阻数值大的，将其分为较短的，平行放置，串联在一起
4，同一材料
5，相同宽度
6，相同电阻图形形状
7，同一方向摆放，尽量靠近
8，阵列化电阻采用叉指结构
9，两侧添加DUMMY
放置于低应力区，远离功耗器件