请问高压工艺版图应该注意什么？有没有什么资料可以参考学习的？
时间：10-02
整理：3721RD
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还是新手，没画过高压工艺，对高压模块版图一点也不了解，希望各位大神分享些资料！
同求 ！
高压区域需要更加注意寄生器件的开启，电压较高，电场较强。
例如，POLY、M1不要跨过PN well边界，容易造成寄生BJT导通，引起latch-up等问题。HV区域比较倾向于不在device上面跑线。还要注意guard ring的完整性，ESD、Latch的rule也会大很多。
以前没接触过，多谢3楼讲解，大概有个了解了
高压模块版图
1.MOS symand not-asym device, DMOS or LDMOS
isolation NMOS ..
2. rule space
3. HVNWor SOIor UHV trench well
通过高层金属连接出去么?
用靠上层一点的metal可以在一定层度上减小场强。
Uhv rocess 会有此规定