P+/N+电阻、POLY电阻上走MT1、MT2会有什么影响
MT平行电阻或垂直电阻走线，会有影响吗?
是为什么?
请高手指教
肯定有影响的呀，在电阻体上跨线，能造成电阻体离子迁移，阻值会有变化，对电路的功能和性能有影响的
要看电路设计者的意思了，如果是精确匹配的电阻或电阻阵列，你肯定不能从上面走线了，模拟电路对这些要求较高。有些工艺甚至还有屏蔽层。
如果是一般的电阻，走点线过去也没什么影响了。还有就是尽量走高层金属（M2及以上），这样影响会小一点。
至少poly电阻上面尽量不要走metal1,这两层离得太近，离衬底也很近，寄生参数很多很高。
模拟电路一般是不走线的，尤其是在匹配要求很高的情况下，最好还能在电阻上做隔离层
在上方走線會有寄生的問題，盡量別在元件上方走線
终于明白为什么要match的电阻上不能走线了！多谢！
在需要匹配的模拟电路器件上走线会影响匹配性能
1. 金属引线引起的应力
应力会改变沟道中载流子迁移率，从而改变MOS管gm 应力还会通过压阻效应改变多晶硅电阻的阻值
2.金属引线中的钽对氢气退火工艺的影响
常规铝互联工艺或者高阶铜互连工艺都采用钽做diffusion barrier， 钽对氢气有很强的吸附作用。M1、M2层的钽会把原本用于消除MOS管栅极界面态的氢气吸附，造成MOS管阈值电压的波动，从而影响匹配
有三篇文章小编可以看一下，见 http://bbs.eetop.cn/viewthread.p ... p;page=1#pid5074089
楼上的 解释很清楚了。
我也学习
学习了，谢谢！
同样学习中！
电阻所占面积一般都很大，在工艺制成过程中需要减少因工艺带来的偏差，在电阻上面一般都会有MT层
学习了，谢谢
学习了
学习了，谢谢
学习，，，顶[quote][/quote]个
能不走最好不要走
正解！
说的不错
学习了，谢谢
路过，学习了
P+/N+电阻是不是就是二级管啊
收藏了，不错，解释的很好
是的，就是个二极管结构。
学习了，谢谢
xuexile
本人认为例如BG内的分压电阻往往会有很多个，对各个电阻的匹配要求会很高，如果不在电阻体上走线势必会浪费很多面积来布线。我现在用的是M2工艺，所以用Metal1在电阻体上连接各个电阻之间的逻辑关系。往往这类电阻对值不太敏感，需要的是匹配，只要各个电阻体做到很好的匹配，影响应该不大。希望各位大神指教
学习了，
第一，metal會對poly有應力第二，metal和poly之間有寄生電容。一般不要走，具體看電路決定要不要走。
学习了，，，，，，，，，，，，，，，，，