cmos工艺电阻和电容都有哪些类型？各种类型的区别？

cmos工艺电阻和电容都有哪些类型?各种类型的区别?

ththnak you

抛砖引玉，应该还有其它的，最近用了个rpposab_3t的电阻。
至于区别，不太清楚，方块电阻不同，阻值对温度和两端电压的敏感程度不同，绝对精确度和匹配精确度以及寄生也应该不一样吧。
电容应该类似... ...

有木有大神可以解释下这些类型的电阻具体有什么区别?应用场合有什么区别?

区别主要是方块值、阻值准确性（受温度、工作电压等的影响）、散热等
1、方块值，最直接的影响就是layout面积，方块值越大，暂用面积就会越小。一般来说，hr电阻方块值可以高达几十K，有 SAB的电阻方块值会大于没有SAB的，well电阻的方块值比较大，因为浓度比较小。
2、阻值准确性，看要用在什么场合，比如说regular里边的分压电阻串就要求阻值比较精确，一般会使用poly电阻。well 电阻和diff电阻中载流子的运动严重影响阻值，所以准确性比较低。diff 电阻还需考虑节点电压范围，避免PN结順偏漏电。
3、散热一般在大功率电路中会考虑，poly电阻周围被oxide包围，散热会受到限制。
个人观点，希望对你有帮助！

补充一下，metal电阻一般只是在lvs的时候将一根net cut成两根，不会参与mask运算。

感谢！
想问一下后缀_ckt是什么意思?

这是smicmmrf里的电阻，其中有些电阻前面没提到或者不太详细?希望大神们继续补充