TSMC18工艺中DIFF电阻的方块值
时间:10-02
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请问一下,
TSMC18工艺中,P+DIFF 和 N+DIFF 电阻的方块阻值各是多少?(1umX1um,2umX2um)
或者计算公式是怎么样的?
手头的线路中只提到要画多长多宽,没有说明阻值,
TSMC的RULE中好像也没提到具体的单位阻值,提取电阻是按照MOS管,只要求L和W的值
现在我要转工艺,不知道要把这个电阻做多大啊,
哪位知道的兄弟,讲一讲吧
TSMC18工艺中,P+DIFF 和 N+DIFF 电阻的方块阻值各是多少?(1umX1um,2umX2um)
或者计算公式是怎么样的?
手头的线路中只提到要画多长多宽,没有说明阻值,
TSMC的RULE中好像也没提到具体的单位阻值,提取电阻是按照MOS管,只要求L和W的值
现在我要转工艺,不知道要把这个电阻做多大啊,
哪位知道的兄弟,讲一讲吧
LVS command file中可以查到
lvs command file 中将此类电阻当作是MOS提取,只有L/W的值,没有R值
LVS command file中可以查到
Design rule 可以查到
通常 是 L W R
有可能只 check L W
有無RPO也會影響阻值
TSMC的lvs command file中没有该电阻的R参数,
也许TSMC可以通过L/W来计算阻值,
但我现在转到HJ工艺就麻烦了,不知道电阻到底有多大?
所以才要知道TSMC方块值,
加RPO和不加RPO层时各是多少?
附件为TSMC lvs command file对此电阻的定义,
手上有资料的兄弟,请帮忙看一下啊,着急啊
不知道小编解决问题木有?
400多欧姆吧, RP ,RN 要更小点,这个Rsheet看design rule或者spicemodel可以得到,
P+DIFF 和 N+DIFF 电阻的方块阻值大約是 400
受教啦
不知道小编解决问题木有?