为啥ESD管子的源端要放在二边,漏端放在中间？
为什么我们在画ESD版图的时候,都是把源端放在二边,把漏端放在中间,为什么不可以把漏端放在二边,把源区放中间呢?
对于这个问题,在设计规则上有看到一条 "To avoid the unwanted parasitic bipolar effect ,the comer of active area should be source rather than drain",请问下这个是如何避免的,
个人理解:我个人以为,首先是因为漏端需要承受大的ESD 电流,所以说为了保护漏端的环境一致,因为你把漏端放在二边,那么这二边的漏端与中间的漏端的一个环境还有电阻应该都是会有影响的.这样应该会使二边的漏端更易损坏.
希望各位大侠不惜指教！~
这个要看你的ESD是用在哪里的，是IO端还是power clamp，是利用mos管的寄生bipolar，还是利用mos管的沟道泄放esd电流。
哪种情况下是需要将漏端放在中间的，烦请说详细点。
都是放在ＩＯ端中旁边．是利用mos管的寄生bipolar击穿的．
一般代工提供的ＥＳＤ rule 里都会有一个截图给我们，它们上面的ＥＳＤ布局就是源区放在两边，漏区放在中间．所以一般我们都是采用这种做法．
学习了！
一般最边上是衬底，再是源区，过来是漏区，有助于寄生bipolar的开启。你可以看看ESD来的时候，寄生biploar是如何开启的。
这是ggmos结构吧，I/O ESD从D端进，使DB结雪崩击穿，衬底电阻使SB正偏（相当于bipolar发射结正偏），bipolar导通，是这样的吧?这开启与S端放不放两边没什么影响吧?
应该是D端放在B的边缘，ESD电流刚进来看到的第一个D端会看到3边的B端，其余的D端只会看到上下两个B端，这样容易烧掉吧.
嗯，确实环境不一致, 谢了！
那“To avoid the unwanted parasitic bipolar effect”指的是什么?是指和边缘ring的寄生bipolar吗
我也不是很清楚，不过放在中间，就是希望刚进来的第一个D端对两边的bipolar不容易导通，貌似也解释的通。
你那资料有图吗? 不然只是猜测.
我们这里一般用diode BJT做ESD，没ggmos方面资料，只是根据小编给的信息问一下
一般D端会接信号的，D端的面积小也可以降低信号上的寄生电容
按字面意思，应该是尽量利用mos下面自身的寄生bjt导通。如果drain在外侧，当drain的pn结导通时，导通电流不但会被source端的pn结吸引，还可能被侧面的guardring那些pn结吸引。
楼上是正解。
主要是两个原因：1，利于寄生bipolar的开启，D端离ptap远，则等效电阻大，流过相同电流后的电压降
就大，有利于寄生PN结正偏，从而有益于寄生bipolar的开启；
2，防止电流从D端直接流到ptap流走，这样容易烧毁，所以，D端都要求
contact到四个方向的diff enclose 至少都得大于一个值。
3，也有减少寄生电容的意思，不过真正对寄生电容在意的pin脚一般都不会
用ggnmos的，不然，这个pin的esd等级一定不高
谢了各位呵。了解了！
技术问题还是想的多一些好