微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微电子和IC设计 > IC版图设计交流 > LOD效应和STI效应有什么区别

LOD效应和STI效应有什么区别

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
如题,想知道LOD效应和STI效应有什么区别吗?

二者都是指同一件事...STI對silicon產生stress,改變了器件的晶格長度,使得VT和IDS在OD很小時會有與OD較大時產生極大的特性差異

学习了

学习了

同一回事,表述不一样而已 。

学习了 谢谢

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top