有关STI与WPE技术的问题？

1，请问STI技术会对一块阱上的有源器件做整体刻曹隔离，还是会对每个有源器件做刻槽隔离?还是把一块AA认成一个整体，再做隔离?
2，对于非deepnwell工艺，n腔都坐在一个p阱上，那WPE效应对N腔影响是不是很小?

没人回答么?

这里有几篇文章都有很好的相关介绍
http://www.360doc.com/content/11/0314/15/6353250_101022077.shtml
http://blog.sina.com.cn/s/blog_7a9e7681010167t1.html

STI指的是没有AA的地方，这个AA不仅仅是指layout里的AA 而是完全没有任何注入的地方。
WPE 主要是井注入的问题，不仅仅指P井 nwell注入也会有这个效应。

In process , STI is used to replace LOCOS process.

WPE effect will affect Vth for nmos and pmos.

谢谢小编分享

学习了