华虹BCD350工艺问题
时间：10-02
整理：3721RD
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华虹BCD350工艺中的pl20管子跟p型隔离管剖面图一样，为什么前者高压环可以接高压，后者只能接低压?nl20和隔离n管一样?还有就是MARK层里面的ZERO不知道是干嘛用的，求诸位解惑
描述不够清楚截点图来，帮你看看。纵向图。
至少差了一层20VID这个吧，剖面图应该不一样的，有些东西需要逻辑运算的
看一下ldmos的管子有没有salicide block层，HHNEC好像是SB层，没有salicide的区域，能增加poly的电阻，提高耐压。
小编，小弟用华虹bcd350的工艺做led驱动，pcell中少了switch管的model，可否高抬贵手发一下你的BCD350_PCELL给我，在此感激不尽，我邮箱是zhoubt616@163.com
对这工艺没研究过，pcell怎么区别不懂。
不过关于ZERO的问题：
一般design是不可能用到这层的，这层完全是用来给fab做光刻对准标记用的，也就是只有划片槽中才有图形。因为如果第一层光罩是注入，那么后面的光刻没办法对准，所以第一层做一个ZERO，做上光刻标记供后续PR对准使用。
这层是不能出现在layout数据里面的，不然后续工艺会有问题。只有最终JDV会看到scribeline里面有一点点图形。
Xie Xie