关于SOI工艺的几个疑问，求解答~

有用过SOI工艺的朋友么，请教几个问题。
1、SOI工艺的高低压管怎么区分的?
2、低压管能否只连出三端（G、D、S）而不接衬底电位?（因为它本就是被物理隔开的，有无衬底电位都无所谓）
3、高压管应该都有自己的独立岛电位，那具有相同岛电位的高压管能否共用一个岛?
4、我从一张SOI工艺的芯片图上看到两个管子共用一端，但这一公共端从染色层看被分成了三段，再从M1层看上下两端短在一起连出去，中间一段单独连出去，这是怎么回事?我的猜测是上下两端是源，中间是衬底，两边的两端是各自的漏，不知正确否?
5、是否所有工艺的N阱染色染出来都是偏亮的，而P阱染出来是偏暗的?反向时若没有明显的衬底接VDD或GND，P型N型管子感觉有时不好区分得。

我现在也在做SOI,求几张照片欣赏一下

这个。弄不出来。

你们是什么工艺的 IBM?

关注该帖，求更新啊

不知道是不是我需要的

1、看你是啥高压、怎么个耐高压法。要是1.8v、3.3v这类的，类似于dual gate这类的层次就可以了。涉及到源漏端的，要有相对的高压结构。这些都是跟普通工艺类似的。
2、不能。衬偏效应依然存在。
3、design rule没说不行就可以。
以上是我蒙的。
4、5不知道。

衬底浮空，你的mos管怎么工作?不是有没有衬偏效应的问题，

嗯，写的时候有点儿短路了，感谢楼上纠正。

呃，反向吗? 看4、5是要猜测layer吧?

（1）有类似Dual Gate这样的层次来区分。
（2）nmos可以，因为可以减少能量泄露；pmos不可以，因为这样好像就没有VT。【这个不是很确定】
（3）不推荐，因为SOI工艺一般都是用于开关电路等噪声比较大的设计，你连一起不就是让噪声传递了么。
（4）和（5）没听懂啥意思

打算从事SOI行业，小编觉得如何