关于n型Poly电阻疑惑？
时间：10-02
整理：3721RD
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请教各位大神：工艺库里n型Poly电阻为两端器件，请问在实际生产出来的电阻下边，会形成nwell区吗?
还是在N+注入之前，场区氧化层根本不会腐蚀掉（不会形成nwell）?
欢迎讨论，谢谢~
还是在N+注入之前，场区氧化层根本不会腐蚀掉（不会形成nwell）?
欢迎讨论，谢谢~
PS~若在n型poly电阻下边会形成n阱，那岂不是悬空了?
不會
NIMP是注入层次，对poly进行掺杂，但是对下面的场区无改变。
故不会形成nw
看看工艺相关的书籍
只是poly 掺杂n+而已，和nwell没任何关系的
是的 谢谢