请教：关于MOS管的匹配

请教一个问题，需要match的一对MOS管（m=2），它们的S、D端都不接到一起。匹配的时候，摆成共质心的ABBA，它们的有源区各自等间距分开，不共用，两边均加上Dummy管。
我觉得这样的做法，起码可以保证每个MOS管的STI应力差不多，
但是就是不知道有源区不共用的时候，刻蚀是否会对需要match的MOS管有很大的影响?
这些影响体现在哪里?是不是外围的A比里面的B刻蚀得更严重?
还有一个方案，匹配的时候摆成DAADBBD(D指dummy)，这样的话所有的有源区均共用到一起。
这一个方案的话STI应力，个人觉得肯定没问题。
个人感觉，刻蚀对需Match的MOS管影响会比第一个共质心方案好一些。
其实我主要想知道有源区不共用的时候，需match的管子的刻蚀效果差不多?还是外面的A刻蚀效果比里面的B刻蚀更严重?
哪位大侠知道，麻烦请教一下。

這還是受制程的影響啦，90以下的match部份還是建議將Active做成一片，這樣Active有很好的一致性；
不贊成你的第二種做法，失配比比較大

不喜欢第二种方法，

现在的情况是源漏两端是不接在一起的，所以active没法做在一起。我也觉得active做在一起应该会更好。所以才有了第二种方案。第二种方案也是一个同事跟我说的，说他们以前做射频的时候都这么做，尽量把需match的部分active做在一起，通过中间加dummy管，说是减少刻蚀的影响。
话说第二种方案的话，失配的情况也不会那么严重。毕竟深微米工艺那么小，靠近一起放梯度效应没那么大。我现在用的工艺是0.18的。就是这个工艺制程下，active不做在一起的时候，刻蚀对mos管的影响是否在可靠范围内。如果是的，那还是选第一种。
至于哪个好真不好说。唉

我也不喜欢啊是第一次听同事这么说，非要说active不共在一起，会刻蚀的效果不一样。所以想和大家讨论一下。
我以前做40纳米的时候都是按第一种方法做，不能共用active，就等间距放置。当然能共用active的时候肯定会共用active，那时候都是从减小面积和寄生电容考虑，倒没有想过说刻蚀效果的影响。

自己顶下啊别沉啊

40你，个人平时做法取第二种，如果匹配要求很高，dummy边到AB gate经验距离2u

第一种两边都加dummy，刻蚀应该不会有太大影响，就是面积比第二种大很多。
第二种全部共用active，那dummy的gate接地就可以了吗（如果是nmos）?
个人认为第二种虽然没有共质心，AB之间的距离比第一种小很多，失配的情况不会比第一种差多少。

尽量共用active吧，面积小，连线短，匹配好，远远优于把每个device分开
不要去听某些半吊子designer的玄学

謝謝！