面试被问到folded cascode和telescopic cascode 在layout上的区别
面试官有点毛病吧? 有什么区别问电路呀,问版图有什么区别,真挫人一个
你就说不知道,问面试官有什么区别
版图还问这?
这个真不知道,有人知道吗?给扫盲一下啊
這個面試官也真是夠變態的哦,這都問 。 我們是layout,不是designer。比如問一下PLL的電路結構,DAC的電路原理和一些特殊的電路模塊還行,問這個就強人所難了。
出门左转模拟电路设计,问下吧
同意樓上的說法
layout的不同确实是由于电路的不同造成的,折叠式的cascode和套筒式的cascode作为电路中非常常见的结构,面试官可能认为这是有经验的layout engineer 都知道的,如果你确实不知道的话可以要求面试官画出电路结构,然后你给出相应的layout
真的很挫,面试官是画版图的吗,估计这家公司没有layout 主管吧初创公司?
我估计他是想问如果对offset比较在意的话,layout怎么处理,两者之间为什么有这些区别。如果不是这个问题的话,我也想不出来了。功耗,摆幅,管版图毛事;PSRR,差距不大吧;速度,折叠式和速度扯得上毛的关系;难道还能问噪声?真的感觉莫名其妙
如果是关于offset的话,两者之间的画法差异的确是比较大的
求解两种结构画法差异
折叠式的上下两个电流镜需要按照cross match来做;因为这两对会各贡献输入管约1/3的offset电压(具体的计算可以看sansen的书)
一口热翔喷他脸上,告诉他老子不干了,实话实说好了,问他啥区别
sorry,各位,我讲错了;(以下的计算均没有包含工艺参数失配以及Vds失配引入的输入失配)
套筒式电流镜贡献的输入失配电压为;
电流镜贡献的输入失配电压=(Id电流镜/Vov电流镜)/(Id输入对管/Vov输入对管) * offsetVt =(Vov输入对管/Vov电流镜)* offsetVt
≈ 1/3 *offsetVt
假设电流镜与输入对管的W*L相同,pmos管与nmos的失配系数相同,
则电流镜适配贡献了约为1/3输入适配电压(实际项目大部分也是在1/3左右)
折叠式电流镜输入适配电压:
电流镜贡献的输入失配电压=(Id电流镜/Vov电流镜)/(Id输入对管/Vov输入对管) * offsetVt
=(Id电流镜/Id输入对管).(Vov输入对管/Vov电流镜)* offsetVt
≈ 1/3 * (Id电流镜/Id输入对管) * offsetVt
因为输出有负载和SR的要求,一般情况下,电流都比较大
总结:1,折叠式电流镜输入适配电压比套筒式电流镜贡献的输入失配电压大得多
2,如果在意失配电压,折叠式与套筒式的电流镜都需要最好的匹配方式
3,输入失配的完整项以及取值由来请参考sansen的书第300页1529以及第18页0145
诶,回个贴真不容易,编辑了我n多次~~~
所以,差异,我也回答不上喏
foldcascode
m1:m2m3:m4m9:m10 +input macth
要做到 low offset cascode mos得小心match
次 m5:m6
rail-rail 特別要注意到 .
如果要 trim offset (offset <1mv)
不知道 rail-rail 如何做比較好?trim tail current 好像不太好
我认为m3:m4,m5,m6都不需要太精确的匹配,因为m3:m4的GM值与m1:m2,m9:m10不在一个量级上gm1= 2Ids1/Vov1
gm9= 2Ids9/Vov9
GM3= 2Ids3/(Vov3+2*VEp*L1)
GM5= 2Ids5/{Vov5+2*[(Ids5/Ids9)*VEn*L9 // (Ids5/Ids7)*VEp*L7]}
Ids3=Ids5
VEp一般情况下比VEn大,sansen 第27页0170给出了参考参数,VEn≈5V/umLVEp≈8V/umL
由此可见:1,GM3,GM5远远小于gm1与gm9,完全不在一个数量级
2,GM3略小于GM5( Ids5/Ids7 < 1 , VEn < VEp)
3, m3:m4,m7,m8都不需要太精确的匹配
rail-railamplifier 最麻煩是 output swing 當接受 vcc ,0v .
當你輸出到 full swing 下那些 mos 跟本不對 多數是 linear region 了,時 offset 全都會出來, 或許不在一个数量级
但是 能 match 為何不做好 match ?
也是,这个也只有电路设计的了,版图嘛,能更好匹配就更好匹配吧,呵呵
更精确的匹配有时候需要更多的面积来换取的,比如电流镜的匹配最好是drain,source都朝同一方向,这样所有的管子都不能共用源漏,很浪费面积,所以从我们做版图的角度来说,有必要知道不同的地方对匹配的要求程度的。
更精确的匹配有时候需要更多的面积来换取的,比如电流镜的匹配最好是drain,source都朝同一方向,这样所有的管子都不能共用源漏,很浪费面积,所以从我们做版图的角度来说,有必要知道不同的地方对匹配的要求程度的。
请问什么道理?我的理解是不能共用source drain电流镜匹配会更差
我们的designer要求精确匹配的电流镜所有管子的drain(或source)都要朝一个方向,目的是让电流方向一致。
那你们这么做,只能使匹配更差
能发个版图的图片么?不共用源漏,让它们朝向一致的版图图片。跟我想法中的电流镜版图不太一样。
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