GF0.18umCMOS 工艺中contact间距的问题

使用GF0.18umCMOS工艺中遇到一个 很头疼的问题，接触孔 contact 的数目大于4*4时，contact之间的距离必须大于0.28um。而candence中调出来默认的间距是0.25um。如果contact数目为3*100，0.25um的间距没问题，一旦为4*100或者4*4，那么就必须大于0.28um了。那位有好的办法，当调用contacts的时候，就能够修改contact的间距，默认是无法修改的0.25um.
感激

你确定调用的时候不可以修改间距吗?那调用完了，用Q可以修改吗?实在不行就手动做个ring出来，你的contact应该主要用于guardring吧

不能修改啊。主要是要打的衬底 接触很多啊，手动不现实。

填加qcell

是pdk没做好吧，我做的工艺可以改啊！

我试了一下把 row , column改成大于1，就能改space 了。

creatmultipart path 做guardring有什么不现实的，很容易操作啊，想做几个孔就做几个孔