版图中电阻的Salicide Blocking层相关

请问串联的一串电阻的SAB(Salicide Blocking Layer)可以共用吗?
对SAB这层理解不深,感觉大概是为了阻止Poly上形成Salicide,在做poly电阻时提高阻值用.但是原理什么的完全不知道..
因此想请问,如果是poly电阻的话,串联的一串poly电阻的SAB可以连在一起形成一个大的SAB区吗?还是每个电阻的SAB必须分开?
那如果用nplus电阻呢?工艺库里的nplus电阻器件也有SAB,但是nplus电阻的poly层上没东西啊..就不明白了..请问这种nplus的SAB层可以连在一起吗?

电阻的SAB是可与接在一起的，不加SAB的电阻比较小， 加SAB的电阻比较大。sailicide 是为了减小电阻在PLOY和有源区上形成的金属硅物，如果我没记错的话，不需要sailicide的地方是用SI3N4（陶瓷硅阻挡起来） 一般用在电阻和ESD结构的MOS中。记错的话请原谅自己看资料去吧

原来是这样非常感谢~

注意电阻头部分不能有sab

好的,多谢多谢,一定注意

反版吧，不盖的地方有高浓杂质注入，减小了电阻。

哇塞

没有 SAB 层的 电阻的方块值50-60 欧。有 SAB 层的电阻 方块值是 300-400 欧。电阻 不论是串联还是并联 SAB 层都可以 Merge在一起的（RPPOSAB & RNPOSAB）

请教下，如果全版都不用SAB的话，也就是说都做salicide，这样不会把栅极与源漏什么的短接在一起吧?

可以merge，只是加了的电阻比较小而已

没有 SAB 层的 电阻的方块值50-60 欧。有 SAB 层的电阻 方块值是 300-400 欧 若真是如此...片外trim res若想烧断真的不能加SAB了......