40nm工艺与其他工艺相比版图设计中有哪些不同

我觉得如果你一直有良好的版图设计习惯，40nm和180nm没任何区别

你想要了解哪些?是design rule?还是工艺制程?还是CAD方面?

不知道

学习~

有人知道没，说说学习一下

In 28nm/40nm process,
WPE,STI, poly density is very important

画版图时的注意点 比如matching的方法不同之类的~

7楼的说的很全面
nanotechnology与deep sub-micro technology 区别还是很大的

IN 28nm/40nm, also have voltage maker , device placement rule.

40nm更注重一些效应，WPE、OSE、PSE，match很重要，加DUMMY和不加DUMMY差别较大制程的rule效果比较明显！

进来学习

7#和10#已答。

学习学习

关注一下，我目前只知道WPE STI,不知道其它效应，学习中。

进来学习下

any libs

我觉得你要问具体一点的

130nm 往下wpe 影响 显著增加
90nm往下 lpe 对器件的影响很大 ； DFM对yield影响较大 ： multiple viasaa、poly 、metal density
很赞同2楼说的，良好的layout习惯！此外要补充一点：lpe不仅是 好习惯