关于CSMC0.5BCD工艺的一个问题
时间：10-02
整理：3721RD
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下面是CSMC0.5BCD工艺的LDNMOS(ISolation)的结构图和版图上的pcell图（只显示了diff和poly两层）有个问题不明白：
工艺在做LOCOS时用DIFF mask做场氧即结构图上的FOX，那么，LDNMOS栅氧下面的FOX是怎么形成的?（diff mask不需要通过任何的运算得到）
工艺在做LOCOS时用DIFF mask做场氧即结构图上的FOX，那么，LDNMOS栅氧下面的FOX是怎么形成的?（diff mask不需要通过任何的运算得到）
FOX就是active区域以外的地方全部长场氧，跟其他地方的FOX一起做的
我知道是一起做的，但我不明白，LDNMOS的active在pcell的gate下面是没断开的，那active做场氧的时候怎么在gate（LDNMOS）下面做出的FOX
这有什么好奇的，这种工艺上就是在硅片上氧化一层之后，再开窗形成ACTIVE区，其他就是FOX。然后再在FOX上面淀积POLYGATE，同时在ACTIVE区进行注入退火之类的工艺。
小编大人，如果方便的话，能不能把csmc0.5bcd的pdk发给我一份?论坛里的那个不全……