RF layout 不需要多围guard ring 吗？
以前画版图时都会在空的地方多打一些guardring ,
电阻第三端也会接在nwell中。MOS管第四端都会成环形，尽量不打断。
最近开始画RFlayout了，负责layout的主管说RF layout只要能run 过 latch up 就能，
尽量少围 p or N guarding ,他认为多围了反而会引入噪声，电源和地都是不干净的。
对于MOS来说也只要像standard cell那样，打一点点就可以了。
我觉得很疑惑，我觉得不围guard ring 应该会引入噪声，guard ring 可以防止噪声进入
MOS，可以起到保护作用呀！而且我一般会给substrate 单独引一根线，最后接入主干
POWER or GROUND。
不知道各位在做RF layout时是怎么围gurad ring 的，希望各位朋友能分享一下大家的经验，
在此先谢谢了！
个人的惯性思维，在到底有没有用可能自己也说不清，大部分情况加不加ring 是差不多的
一般都是要加的
没做过RF Layout，但是我同意lZ的想法
没做过RF Layout，但是我同意lZ的想法
感觉应该是要加的，因为外面会有噪声影响
我不知道是电源上的噪声大还是芯片内部的噪声大。
坐等高手；
高深難懂的領域
謝了
希望大家能分享一下自己的经验，各位在实际项目中都是怎么做的?
同求！
围guard ring是为了降低衬底噪声。
但是围guard ring 是要接电位的吧，这个衬底电位通过金属线和其他模块的衬底连在一起了吧（我只说衬底连在一起的情况）。那么在那些模块有非常大的噪声的时候，就通过这些金属线传导过来了。
你说的问题我都遇到过，RF leader 和analog leader考虑的问题不一样的。
另外，譬如，RF不建议把不用的线化成环形，这样子通过右手螺旋法则什么的，像一个电感一样，会有电磁效应。如果避不开，也要尽量切断。
这些效应主要是因为在RF领域内，不是以前的RC模型，而是RCL模型，要考虑的模型和analog不一样了。
听Leader的没错。
另外，在analog layout里面会在电源盒地线下面放去耦电容。
在RF layout中明确电源地线不可以这么做，且不要和guardring重合。
GUARD RING要打,但接到乾净电压,不要环形避免成电感形成天线效应,去耦电容有些情形会造成震荡,须仿真确认
坐等高手
是0.18um以上,还是65nm以下呢?
65nm以上的工艺，RF layout的sub是需要和vss分开的，单独接到pad
65nm以下（包括65nm）噪声主要是靠DNW来隔离了，确实有多围了反而会引入噪声的说法。但还是需要在5um范围内打上p or N guarding，空间允许的话，最好环起来
RF layout, 环的时候需要留个缺口，也就是金属不能环起来，原因，上面有人提到过
圍了 阻止ㄌ噪声
也阻止ㄌ信號發送
和designer 溝通 那邊圍
哪邊不圍 才是最重要的
我们是0.18um工艺，是需要围ring的，不过围的时候要留个缺口避免成电感形成天线效应，电位是与VSS分开，单独引一个psub，接到PAD上。
至于上面说的65nm以下的，就不清楚了。
顺便学习了。