CSMC 工艺求教！
请问：1.为什么有n/p注入（rn/pploy）的电阻的方块值还比没有注入的高.
2.IM层是干什么的
3.rhr1km 和rg2km 层次完全一样，只有电阻标识层不相同，相对前在工艺上是如何实现两个阻值不一样的。
4.想问一下，那个电阻才是没经过任何处理的ploy电阻
同问.IM层是干什么的
IM层是高阻的识别层
希望说说IM这层在工艺上的作用，而且为什么两个相同的层次，方块值会不一样。
IM是高阻注入阻挡层，有IM的区域的POLY上不做注入，保持为高阻。
1K识别层了2K识别层只是为了做LVS用的。
工艺中做成1K或2K是工艺掺杂条件决定的，和光刻无关。
谢谢先！
请问那就是没有其他层，只有poly层的poly电阻是有注入的哦。
那请问这个注入是什么注入（或者说是注入了什么），对poly的阻值有什么样的影响。对rnpoly/rppoly 的注入是否有影响。
还有那两个高阻从掩模板上来说是完全一样的，它怎么就实现了一个1K 一个2K啊?
求指教！
做成1K还是2K是靠注入实现的，和IM层无关。CSMC的0.5mix工艺Poly2只是用来做高阻和PIP电容的上极板。POLY2 CVD时为非掺杂多晶。普注一层杂质，调整到1K或2K，两者二选一，不可兼得。然后用IM版做阻挡，在不需要做高阻的地方再注入一层高浓度杂质，将电阻头和PIP电容上极板等低阻化。
至于掺杂什么杂质，和设计就没关系了吧?！一般情况都是N型杂质，除非你不是用的0.5mix的，会掺杂P型杂质，那就要看具体工艺了。
不知道这么解释能不能懂呢?
高手！
还是不太明白，掺了杂的方块阻值为什么反而大些。rnploy rpploy 大于 rploy
你那个是CSMC的哪个工艺呢?是rpoly1,rnpoly1,rppoly1三种电阻都有吗?还是有的是poly2的电阻，我没注意到过有三种同是poly1的电阻。或许是rpoly1,rnpoly2,rppoly2三种电阻吧?或者是rnpoly1,rppoly1和rpoly2?
前段时间用其他工艺去了，现在换回来了，这个问题还是没弄明白。我知道1K 2K 3K是怎么回事了，
我在仔细看了，是这样的 阻值：rpoly1 小于 rnpoly1 小于 rppoly1这个还是不明白不掺杂怎么还小一些
poly2电阻就是： rnpoly2 小于 rppoly2 小于 rpoly2这个可以理解。