请教：BN DNW 两层

如题： BN 埋层DNW 深阱请教这两层的区别。
疑问：从剖面图来看，BN和DNW都在同样的深度（都是和NW接触） 而且在功能上两者和NW组合都是起到隔离作用。只是一个出现在高压一个出现在射频工艺，
求教：BN 和 DNW 我可不可以认为他是相同的，只是在不同工艺叫法不同
这两层在制作的时候是否相同（制作顺序，掺杂浓度等）
谢谢，坐等大神回复！

它们是不一样的，同样的深度是因为BN和DNW要实现低阻连接才有意义。
功能上，BN将N型外延与P型衬底隔离；DNW提供接触。也就是说大多数的电子在正常工作时是这样移动的：N外延层->BN->DNW->N diffusion->contact->metal
制作顺序是 NBL->N型外延层->P+隔离区->DNW
不晓得它们的掺杂浓度是否一样，只确定NBL的掺杂浓度一定不比DNW低

我理解BN是和NBL一样的东西，是不是这样呢?

呃，这个问题也太宽泛了，每家的制程都差好多。
tsmc的NBL埋层完后，上面长LV-pwell，提供不同power电位的隔离，根本不需要额外的DNW。

是这样，B = buried

buried N_well 一般是包起來, 某些LOW VOLT會包在 buried N
,iso- hi volt mos 也靠 buried N well 隔.
deep N_well有些是 bipolar BCD process , 因為 collector 端須降低 Rc_contact resistor
所以會打 deep N_well .
簡單來說, 你的 device 如果是 Buried N_well 內或是 HVNW.. 不打 Deep n_well
會離 HVNW , buried N_well 有一小段距離, 阻抗會有,
降低方式就是 deep N_well 直接打下去.
bipolar process的BJT會分帶 deep N_well 和沒有 deep N_well NPNbjt
driving 能力護不同.

我只用过在DNW中的器件，不能做对比发言。不过是cmos在DNW中。呵呵