0.35微米下哪個匹配的更好？

如果考虑匹配的分散性，那上面匹配要好些；如果考虑多晶硅的刻蚀，你就应该DUMMY.两个图的质心都没重合

那如果上邊的圖也加dummy呢?不考慮面積問題。

只看晶体管，显然是第2个好。
当然，你的版图还有很多需要改进的地方

能詳細展開說嗎?

1.左右两边的dummy可以再多加2个。
2. 我觉得ploy gate 的co可以转90度
3. 因为你的两个需要匹配的管子很小，所以interdigit的画法对于匹配不会带来实质的好处，只会增加连线的复杂度。

当然这些都只是我个人的理解，说不定也有不正确的地方

如果考虑离子注入的梯度变化，第一张M1和M2的误差是2δ，第二张是4δ。如果不考虑梯度变化，理我觉得两个效果是一样的，不过第二个连接更简单，在管子很大的情况下，第二种寄生更小。在满足匹配要求的情况下我会首选第二种

第二个好些，我们公司，距离是匹配的第一位，cost down也是必然的。什么离子注入梯度的什么的，不是高精度需求统统可以不考虑，M0M1M1M0也不错。

不要这么机械的套用几十年前的理论，现在一共才几um ，讲什么梯度?梯度都是在打大尺寸情况下，而且现在工艺远胜于几十年前。

In matching point of view the first layout is better.
If you can add dummy on the each side it will be more good.

second

first layout is better

个人意见dummy NM0 NM1 NM1 NM0 dummy NM0和NM1 6个管子 其中source共用

资深人士能说下版图设计工程师的发展前景吗?为什么大家都说这是体力活，对未来觉得迷

是的，那个什么梯度都10年前的理论了，左右一共就没几um的距离，谈什么梯度啊。
好多东西都需要在新的制程下重新审视.

也就两个电流镜,当然先第二个了.

都可以。

没多大差别！