请教：TSMC多组电地的问题

two well process or tripple well process?

Psub2这一层，专门用来隔离不同的地电位。对制程无影响。

楼上正解！PSUB2层

我以前只碰到过两个地，也是用了一个特殊的注入去隔离，不同的工艺使用的材料不同吧，我也没用过台积电的，所以不太清楚。

加deep-Nwell或加t-well，虚拟隔离其实物理地是short的

用psub2可隔離不同的ground

psub2这层根本没有物理意义，只是骗lvs pass的dummy layer。
真正想实现隔离需要deep-Nwell或者tsmc专有的nbl制程(mixed-signal的CMOS工艺，bicmos不清楚)，才能实现真正意义上的隔离

只是骗lvs pass的dummy layer。

对， calibre认为只有一个大地，否则多个地，就没法算电压值了，
版图上是short的，即p-substrate

Psub2这一层，专门用来隔离不同的地电位。对制程无影响。
楼上正解！PSUB2层
只是骗lvs pass的dummy layer
同意以上看法 事實上 還是 在同一個 PSUB 上
除非有DEEP NWELL 分開
在DEEP NWELL 上 通常 device 名稱 會不同